采用不同帽剂和结构导向剂制备氧化锌及其光催化性能研究
【学位单位】:江西科技师范大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:O643.36;O644.1
【部分图文】:
化锌的纤锌矿结构如图 1-2 所示:氧化锌生长的过程中 C 轴方向和一层锌原子交替生长。锌原子周围连接着四个氧原子同时氧原个锌原子,因此裸露在外带正电荷的锌原子容易吸引带负电荷的同样裸露在外带负电荷的氧原子极易吸引带正电荷的原子或基团原子生长过程中加入带有正负电荷的原子或基团,带电荷的原子裸露的锌或氧原子相结合对氧化锌晶体生长形成一种抑制作用,作用的物质在合成氧化锌的过程中即为一种帽剂。
图 1-2 纤锌矿结构 ZnO材料的合成方法料的制备方法多种多样,按照制备方式不体反应物通过研磨的方法均匀混合,通过晶体。这种方法制备工艺简单,反应不需克服微粒团聚的现象,产量较高。但是固环境,能耗较高,样品颗粒大,并且因为法有物理气相法(PVD)和化学气相法(CVD且分散性好。化学气相法其特点是沉积温苛刻,重复性低,不易于大规模生产。气[5]
图 1-3 半导体表面发生光催化氧化反应的机理(organic 代表有机污染物)常见的半导体材料的能带位置和它们的氧化还原电势图如图 1-4 所示。光催化的进行分如下两种情况:(1)半导体还原反应的导带要比受体有更负的电位,例如图中的 ZnO 和 GaAs,这种半导体材料可以在光照下还原水生成氢气;(2)半导体氧化还原反应的价带电位要比给体的更正,这种材料可以在光照下氧化水生成氧气,例如图中的 MoS2和 Fe2O3。
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本文编号:2860612
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