原位生长法制备花瓣状氢氧化钴及其电化学性能

发布时间：2021-03-03 09:06

　　以硝酸钴为钴源,六次甲基四胺为沉淀剂,通过水热法在棉花基碳纤维基底上原位生长氢氧化钴。借助扫描电镜、X射线衍射和红外光谱等对材料的形貌和结构进行表征。采用循环伏安、恒电流充放电及交流阻抗等对材料的电化学性能进行研究。X射线衍射和扫描电镜测试结果表明,在碳纤维基底上原位生长的氢氧化钴呈花瓣状、α型。电化学性能测试表明,当电流密度为1 A/g时,所得花瓣状氢氧化钴的比电容为650 F/g;当电流密度增大至10 A/g时,仍保留67%的初始比电容值。以上结果表明,在碳纤维基底上原位生长形成的花瓣状氢氧化钴具有优异的电化学性能,原因在于碳纤维基底原位生长有助于提高氢氧化钴的分散性,形成纳米片状花瓣结构,进而显著改善其储能性能。 

【文章来源】：材料工程. 2020,48(03)北大核心

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

样品的扫描电镜图 (a)CoH;(b～d)CoH-CF

样品的X射线衍射谱图

样品的红外光谱图

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3061004