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La掺杂ZnO的电子结构和光学性质的第一性原理研究

发布时间:2021-07-31 04:18
  ZnO作为一种新型的II-VI族直接禁带半导体材料,在常温常压下具有3.37eV的禁带宽度,60meV的高激子束缚能。凭借优良的物理性能以及化学性质,在透明导电膜、光催化剂、太阳能电池以及紫外半导体激光器等领域有着广泛的应用。稀土元素凭借独特的电子结构和丰富的分离能级,具有优异的电子、光学和催化性能。目前稀土元素掺杂ZnO在光催化领域已进行大量的实验及理论研究,结果表明稀土元素的掺杂可以使能带隙中产生杂质能级,通过调控ZnO的物理性能,扩大带隙的可见光响应,促使ZnO的发光特性发生改变,从而有效的增强ZnO半导体的光催化性能。因此,从理论上通过第一性原理的计算数据对La掺杂ZnO材料的电子结构和光学性质进行预测,并从中证实稀土元素La掺杂的可行性。本文利用Materials Studio 2017中CASTEP模块,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法对不同La掺杂浓度以及La与本征缺陷复合共掺ZnO进行了计算研究。构建了(2×2×2)纯ZnO、La:ZnO(6.25%)、2La:ZnO(12.5%)、La:ZnO+VZn和La:ZnO+V... 

【文章来源】:中北大学山西省

【文章页数】:80 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

La掺杂ZnO的电子结构和光学性质的第一性原理研究


六方纤锌矿ZnO的晶体结构

曲线,总能


中北大学学位论文223La掺杂ZnO的GGA计算3.1收敛性测试在对ZnO超晶胞结构进行优化之前,需要对ZnO原胞进行收敛性测试,以获取几何结构优化过程中两个重要设置参数,即截断能Ecut和K点。截断能(Ecut)通过控制平面波基组的大小,来平衡计算速度和准确性。K点则确定布里渊区域采样的准确性。3.1.1截断能选取截断能(Ecut)的选取:预先构建一个纯ZnO原胞,选取K=4×4×4的网格。以步长20eV为基础,逐渐增加截断能的取值并获取相应的总能量。查看总能量的变化,直到dEtot/dlnEcut<1×10-5eV/atom(设定的能量收敛标准)为止。总能量收敛曲线如图3-1所示,当截断能Ecut=380eV时曲线开始逐渐趋于平缓状态,考虑到实验结果的精准性及计算速度,本文的截断能取值420eV。图3-1总能量收敛图Figure3-1Totalenergyconvergencediagram

曲线,总能,原子


中北大学学位论文233.1.2K点选取K点网格的选取:选取3.1.1中测试好的固定截断能420eV,通过逐步改变K点网格的取值,即从粗糙逐渐到密集。以同样的收敛标准进行测试,相应的总能量收敛曲线如图3-2所示,当K=4×4×4时曲线开始逐渐趋于平缓状态,可以满足设定的收敛标准,因此本文的K点网格选取K=4×4×4。图3-2总能量收敛图Figure3-2Totalenergyconvergencediagram3.2理论模型为探究La掺杂浓度及本征缺陷对ZnO物理性能的影响,本文选取理想状态下的六方纤锌矿结构ZnO晶体,其具有C6v-4对称性,属于P63mc空间群[52]。ZnO晶体中的Zn原子和O原子分别形成两组相同的六方密堆积结构晶格,两组网格沿c轴偏移0.385c。晶格常数a=b=3.249,c=5.206,α=β=90°,γ=120°,其中c/a=1.602,小于理想六边形密堆积结构的1.633[53],如图3-3(a)所示。考虑到掺杂对ZnO材料的影响,本文所有模型均使用基于原胞的相同尺寸(2×2×2)的超晶胞,其中纯ZnO超晶胞中共包含16个Zn原子和16个O原子,如图3-3(b)所示。利用元素替代法模拟La原子的晶体掺杂,利用Zn原子或O原子的缺失模拟锌空位或氧空位,则其余四种掺杂超晶胞模型分


本文编号:3312753

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