GaN基异质外延生长的ZnO单晶电输运特性研究

发布时间：2021-08-02 10:44

　　报道了一种新方法生长的ZnO单晶的电输运特性,利用该方法在GaN外延膜表面生长了尺寸为25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO单晶块。通过研究ZnO单晶不同深度处的电输运特性,判断了ZnO单晶内部不同位置的结晶质量。以GaN表面为起始面,沿[0002]方向,随着距GaN表面距离的增加,常温下的ZnO单晶载流子浓度从1.28×10¹⁹降到4.00×10¹⁷ cm^-3,载流子迁移率从64.9升至144 cm²/（V·s）,电阻率从7.53×10^-3升至1.09×10^-1Ω·cm。位错密度计算结果表明,随着远离GaN衬底,晶体内位错密度逐渐减少,二次离子质谱测试结果中,Ga⁺等杂质含量随着远离GaN衬底逐渐减少,在距离GaN表面约4 mm以后,主要杂质含量明显降低。由此表明,采用价格相对较低的GaN衬底可以获得较大尺寸,品质较好的ZnO单晶。 

【文章来源】：真空科学与技术学报. 2020,40(10)北大核心CSCD

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3317421