新型铱氧化物SrIr 2 O 6 与其他材料的晶体生长及物性研究
发布时间：2021-10-16 13:54
对新材料探索与物性的研究是凝聚态物理方面重要的研究方向。三十多年前,铜氧化物高温超导和量子霍尔效应的发现,带动了强关联和拓扑领域的巨大发展。现如今,强关联体系和拓扑材料的研究层出不穷。在这些研究中,单晶生长成为了最核心的组成部分。本工作也对该领域的材料进行了制备和研究。在本文中,通过以单晶生长为主,结合物理性质测量及角分辨光电子能谱（ARPES）等测量手段,对本工作中所制备材料的晶体结构、物理性质及电子能带结构进行了详细阐述。本文的主要内容如下:1、SrIr2O6多晶和单晶的生长与物性研究。物性测量表明SrIr2O6多晶在高温时表现出居里-外斯行为,随着温度的降低,电阻率也随之增大,比热测量发现,该材料在降到0.05 K时,依然没有发现磁有序,其低温磁性表现出无能隙的顺磁行为,如磁化率和零场比热的幂律行为等。单晶样品的成功制备对SrIr2O6本征物理性质及其各向异性的认识具有重要意义。本工作也对SrIr2O6单晶...
【文章来源】：信阳师范学院河南省
【文章页数】：64 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 引言
1.1 随机单态
1.2 拓扑绝缘体
第2章 样品的制备及测试方法
2.1 单晶及其生长方法
2.1.1 背景简介
2.1.2 单晶生长方法
2.2 样品的物相表征方法
2.2.1 X射线衍射分析
2.2.2 电感耦合等离子体原子发射光谱分析
2.2.3 扫描电子显微镜和能量谱仪分析
2.2.4 X射线吸收光谱分析
2.3 样品的物性测量
2.3.1 MPMS磁性测量系统
2.3.2 PPMS物性测量系统
2.4 本章小结
第3章 SrIr_2O_6 样品的制备和物性研究
3.1 研究背景
3.2 SrIr_2O_6 的样品制备
3.2.1 SrIr_2O_6 的多晶样品制备
3.2.2 SrIr_2O_6 的单晶样品制备
3.3 SrIr_2O_6 样品的结构及物相表征
3.3.1 SrIr_2O_6 多晶样品的结构及物相表征
3.3.2 SrIr_2O_6 单晶样品的结构及物相表征
3.4 SrIr_2O_6 样品的基本物性
3.4.1 SrIr_2O_6 多晶样品的物性测量及分析
3.4.2 SrIr_2O_6 单晶样品的物性测量及分析
3.5 本章小结
第4章 EuSn_2As_2 的单晶生长和物性研究
4.1 研究背景
4.2 EuSn_2As_2 的单晶生长
4.3 EuSn_2As_2 的结构及物相表征
4.3.1 XRD物相分析
4.3.2 EDX物相分析
4.3.3 ICP化学元素分析
4.4 EuSn_2As_2 的磁性测量及分析
4.5 EuSn_2As_2 的电子能带结构测量及分析
4.6 本章小结
第5章 单层和双层MoS_2 薄膜的制备及表征
5.1 研究背景
5.2 单层和双层MoS_2 的生长
5.3 单层和双层MoS_2 的测试
5.4 本章小结
第6章 总结及展望
参考文献
攻读学位期间获得与学位论文相关的科研成果目录
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]Experimental Realization of an Intrinsic Magnetic Topological Insulator[J]. 龚演,郭景文,李佳恒,朱科静,廖孟涵,刘效治,张庆华,谷林,唐林,冯硝,张定,李渭,宋灿立,王立莉,于浦,陈曦,王亚愚,姚宏,段文晖,徐勇,张首晟,马旭村,薛其坤,何珂. Chinese Physics Letters. 2019(07)
[2]不同类型固体材料能带结构的分析与比较[J]. 李平. 科技视界. 2018(14)
[3]ICP-AES的工作原理与维护保养[J]. 王海燕. 电子产品可靠性与环境试验. 2010(04)
[4]拓扑绝缘体及其研究进展[J]. 叶飞,苏刚. 物理. 2010(08)
[5]利用菱镁矿制备碳酸镁晶须[J]. 陈敏,李月圆,王健东,陈庆武,崔虹旭,申莹莹. 硅酸盐学报. 2009(10)
[6]带能谱分析的扫描电子显微镜在材料分析中的应用[J]. 王英姿,侯宪钦. 制造技术与机床. 2007(09)
[7]物理性质测量系统（PPMS）的原理及其应用[J]. 张焱,高政祥,高进,曹立志. 现代仪器. 2004(05)
[8]磁性测量仪器（MPMS-XL）的原理及其应用[J]. 张焱,高政祥,高进,曹立志. 现代仪器. 2003(05)
[9]用X射线粉末衍射法测定晶体结构[J]. 梁敬魁. 物理. 1985(02)
本文编号：3439926
【文章来源】：信阳师范学院河南省
【文章页数】：64 页
【学位级别】：硕士
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摘要
Abstract
第1章 引言
1.1 随机单态
1.2 拓扑绝缘体
第2章 样品的制备及测试方法
2.1 单晶及其生长方法
2.1.1 背景简介
2.1.2 单晶生长方法
2.2 样品的物相表征方法
2.2.1 X射线衍射分析
2.2.2 电感耦合等离子体原子发射光谱分析
2.2.3 扫描电子显微镜和能量谱仪分析
2.2.4 X射线吸收光谱分析
2.3 样品的物性测量
2.3.1 MPMS磁性测量系统
2.3.2 PPMS物性测量系统
2.4 本章小结
第3章 SrIr_2O_6 样品的制备和物性研究
3.1 研究背景
3.2 SrIr_2O_6 的样品制备
3.2.1 SrIr_2O_6 的多晶样品制备
3.2.2 SrIr_2O_6 的单晶样品制备
3.3 SrIr_2O_6 样品的结构及物相表征
3.3.1 SrIr_2O_6 多晶样品的结构及物相表征
3.3.2 SrIr_2O_6 单晶样品的结构及物相表征
3.4 SrIr_2O_6 样品的基本物性
3.4.1 SrIr_2O_6 多晶样品的物性测量及分析
3.4.2 SrIr_2O_6 单晶样品的物性测量及分析
3.5 本章小结
第4章 EuSn_2As_2 的单晶生长和物性研究
4.1 研究背景
4.2 EuSn_2As_2 的单晶生长
4.3 EuSn_2As_2 的结构及物相表征
4.3.1 XRD物相分析
4.3.2 EDX物相分析
4.3.3 ICP化学元素分析
4.4 EuSn_2As_2 的磁性测量及分析
4.5 EuSn_2As_2 的电子能带结构测量及分析
4.6 本章小结
第5章 单层和双层MoS_2 薄膜的制备及表征
5.1 研究背景
5.2 单层和双层MoS_2 的生长
5.3 单层和双层MoS_2 的测试
5.4 本章小结
第6章 总结及展望
参考文献
攻读学位期间获得与学位论文相关的科研成果目录
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]Experimental Realization of an Intrinsic Magnetic Topological Insulator[J]. 龚演,郭景文,李佳恒,朱科静,廖孟涵,刘效治,张庆华,谷林,唐林,冯硝,张定,李渭,宋灿立,王立莉,于浦,陈曦,王亚愚,姚宏,段文晖,徐勇,张首晟,马旭村,薛其坤,何珂. Chinese Physics Letters. 2019(07)
[2]不同类型固体材料能带结构的分析与比较[J]. 李平. 科技视界. 2018(14)
[3]ICP-AES的工作原理与维护保养[J]. 王海燕. 电子产品可靠性与环境试验. 2010(04)
[4]拓扑绝缘体及其研究进展[J]. 叶飞,苏刚. 物理. 2010(08)
[5]利用菱镁矿制备碳酸镁晶须[J]. 陈敏,李月圆,王健东,陈庆武,崔虹旭,申莹莹. 硅酸盐学报. 2009(10)
[6]带能谱分析的扫描电子显微镜在材料分析中的应用[J]. 王英姿,侯宪钦. 制造技术与机床. 2007(09)
[7]物理性质测量系统（PPMS）的原理及其应用[J]. 张焱,高政祥,高进,曹立志. 现代仪器. 2004(05)
[8]磁性测量仪器（MPMS-XL）的原理及其应用[J]. 张焱,高政祥,高进,曹立志. 现代仪器. 2003(05)
[9]用X射线粉末衍射法测定晶体结构[J]. 梁敬魁. 物理. 1985(02)
本文编号：3439926
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxue/3439926.html
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