稀土元素（La,Y）掺杂GaN的第一性原理计算

发布时间：2022-01-21 21:38

　　采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质. 

【文章来源】：原子与分子物理学报. 2020,37(03)北大核心

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

掺杂前后GaN的复折射率

GaN的超晶胞(2×2×2)

掺杂前后GaN介电函数的实部和虚部

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3601005