In:Ga 2 O 3 氧化物半导体晶体的生长与性能研究

发布时间：2022-10-21 17:15

　　β-Ga₂O₃晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga₂O₃晶体,晶体具有较高的结晶完整性。In³⁺离子掺杂后,β-Ga₂O₃晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小。室温下,In:Ga₂O₃晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10^-4S/cm和1.005×1016 cm^-3,其值高于β-Ga₂O₃晶体约1个数量级。In:Ga₂O₃晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低。结果表明,In³⁺离子掺杂能够调控β-Ga₂O

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
1 实验方法
2 结果与讨论
    2.1 晶体生长和物相分析
    2.2 吸收光谱
    2.3 热学性能
    2.4 电学性能
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3696054