Si/Mg/Fe掺杂β-Ga 2 O 3 单晶拉曼光谱表征及分析

发布时间：2022-12-18 01:07

　　β-Ga₂O₃单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺。采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga₂O₃单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga₂O₃单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研究不同掺杂元素对拉曼光谱的影响。对β-Ga₂O₃单晶的声子谱进行计算,并通过拉曼光谱测试进行了验证,对掺杂元素的取代位置进行了分析。结果表明,掺杂元素会对拉曼峰强度产生显著影响,Si、Mg、Fe均倾向于取代Ga_ⅡO₆八面体中心的Ga_Ⅱ原子。根据电学性能测试结果,Si掺杂会使β-Ga₂O₃单晶呈n型导电,Mg或Fe掺杂会使β-Ga₂O₃单晶呈半绝缘态。 

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【文章目录】：
0 引言
1 实验方法
2 结果与讨论
    2.1 导模法制备的2英寸β-Ga2O3单晶及晶片
    2.2 非故意掺杂与Si/Mg/Fe掺杂β-Ga2O3单晶的电学性能
    2.3 拉曼光谱
3 结论



本文编号：3721017