高压烧结制备Tb掺杂n型(Bi 1–x Tb x ) 2 (Te 0.9 Se 0.1 ) 3 合金及其微结构和热电性能

发布时间：2023-02-15 14:34

　　采用高压烧结技术制备了稀土元素Tb掺杂的n型Bi₂Te_2.7Se_0.3基纳米晶块体热电材料.将高压烧结成型的样品于633 K真空退火36 h.研究了Tb掺杂量对样品的晶体结构和热电性能的影响.结果表明,高压烧结制备的样品为纳米结构, Tb掺杂使样品的晶胞体积变大,功率因子增大,热导率降低,从而使ZT值提高.Tb掺杂量为x=0.004是最优的掺杂量,该掺杂量的高压烧结样品经退火处理后,于373 K时ZT值达到最大为0.99,并且在323—473 K范围内, ZT值均大于0.8,这对用于温差发电领域具有重要意义.

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本文编号：3743372