坡缕石/金属氧化物复合材料的制备及光催化性能研究
【文章页数】:97 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图1.1光催化剂的降解机理Fig.1.1Degradationmechanismofphotocatalyst
第1章绪论3小,只有高能量的光子才能激发半导体。其中,禁带宽度和吸收阈之间存在定量经验公式:Eg=1240/λ[43]。光照下,半导体光催化剂吸收光的能量,当吸收的能量大于其带隙宽度的能量时,价带上的电子受到激发穿过禁带向导带跃迁,导带上产生光生电子(e-),而相应的价带上留下空....
图1.2部分半导体材料的能带图
第1章绪论4图1.2部分半导体材料的能带图Fig.1.2Energybandpartiallysemiconductormaterials2.半导体材料的比表面积在光催化反应中能够存在更多活性位点的体系有利于光催化反应,所以,其比表面积的大小对光催化反应有显著的影响[48],比表....
图1.3ZnO晶体结构:立方岩盐(a)、立方闪锌矿(b)和六方纤锌矿(c)
第1章绪论10图1.3ZnO晶体结构:立方岩盐(a)、立方闪锌矿(b)和六方纤锌矿(c)Fig.1.3ZnOcrystalstructures:cubicrocksalt(a),cubiczincblende(b)andhexagonalwurtzite(c)[118]1.6论文....
图2.2Zn-Mg-Al(4:1:1)LDH(a)、Zn-Mg-Al(4:1:1)LDO(b)、calcinedPGS(c)and3%PGS/Zn-Mg-Al(4:1:1)LDO(d)的XRD图谱
第2章坡缕石/Zn-Mg-Al金属氧化物复合材料的制备及可见光催化性能的研究16PGS/Zn-Mg-Al(4:1:1)LDO(d)的XRD图谱如图2.2所示。Zn-Mg-Al(4:1:1)LDH中2θ为11.71°、23.31°、34.75°、39.15°、46.52°、60.4....
本文编号:3921135
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