γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变

发布时间：2017-07-07 16:24

  本文关键词：γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变

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【摘要】：利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基.
【作者单位】： 上海大学理学院;中国科学院上海应用物理研究所;
【关键词】： 电子自旋共振 聚碳硅烷 γ射线辐射 自由基
【基金】：中国科学院战略性先导科技专项子课题(批准号:XDA02040300) 国家自然科学基金(批准号:11575279) 上海市自然科学基金(批准号:15ZR1448600)资助~~
【分类号】：O634.41
【正文快照】： 聚碳硅烷(PCS)是一种主链含有Si和C原子的有机硅聚合物,可通过高温热解转化为碳化硅(Si C),是Si C陶瓷材料的先驱化合物之一.Si C陶瓷具有耐高温、抗冲刷、耐腐蚀、质量轻及热传导性能良好等优点,广泛应用于航空航天等高端制造领域[1~4].作为Si C陶瓷的先驱化合物,PCS具有流动

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本文编号：530968