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半导体异质结的制备和光电化学性质研究

发布时间:2017-07-14 13:21

  本文关键词:半导体异质结的制备和光电化学性质研究


  更多相关文章: 光电化学池 水分解 异质结


【摘要】:光电化学电池利用太阳能制氢,为解决能源和环境问题提供了可行途径,但仍然面临着许多挑战。目前绝大多数单一无机半导体材料如TiO_2,α-Fe_2O_3,Si等,由于诸如太阳光吸收率低,光量子产率低,能级不匹配,载流子复合严重等问题,使得其光解水产氢效率很低。异质结纳米复合材料可以综合两种或多种材料各自的优点,同时异质结构可以有效提高载流子的分离效率,加速载流子的传输,从而提高光催化效率。基于上述原理问题和原理,本论文主要利用ZnIn_2S_4和α-Fe_2O_3设计并合成了四种异质结,并详细研究了其光电化学性能和工作机制:(1)ZnIn_2S_4/TiO_2:水热法合成TiO_2纳米棒阵列,再在TiO_2纳米棒上水热生长出Zn In2S4纳米片。这种2D/1D异质结增大了比表面积和可见光响应,加速电荷的传输,光电流与TiO_2纳米棒相比提高了2倍。(2)ZnIn_2S_4/TiO_2/Si:通过金属辅助刻蚀法在n型Si片上制备Si纳米线,再利用原子层沉积技术沉积薄层TiO_2于Si纳米线上作为保护层,最后通过水热法生长出ZnIn_2S_4纳米片。这种多元异质结增大了反应的比表面积,能够加速电荷的分离和传输。其最大光转化效率达到了0.51%,与Si纳米线相比提高了64倍。(3)ZnFe_2O_4/α-Fe_2O_3:水热法合成Fe_2O_3纳米棒,然后利用原子层沉积技术沉积ZnO与α-Fe_2O_3上,通过后退火方法得到ZnFe_2O_4。ZnFe_2O_4/α-Fe_2O_3为典型的type-II型异质结,可以有效分离光生电子-空穴对,使得Fe_2O_3的光电流从0.03 mA cm-2提高到了0.29 mA cm-2。(4)Ni(OH)_2/α-Fe_2O_3:利用原子层沉积技术在FTO导电玻璃上沉积超薄α-Fe_2O_3膜,然后水热法生长超薄Ni(OH)2纳米片。Ni(OH)2则作为析氧反应助催化剂,提高了系统反应动力,进而降低过电势,使得起始电势向负移动了400 mV,光电流从0.21mA cm-2提高到了0.37 mA cm-2。本论文中工作有助于我们理解异质结工作原理,同时也为提高光解水的效率提供了可行途径
【关键词】:光电化学池 水分解 异质结
【学位授予单位】:苏州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:O643.36
【目录】:
  • 中文摘要4-6
  • Abstract6-11
  • 第一章引言11-22
  • 1.1 研究背景及意义11-12
  • 1.2 光电化学池分解水原理12-13
  • 1.3 光解水半导体材料13-15
  • 1.3.1 TiO_213-14
  • 1.3.2 α-Fe_2O_314-15
  • 1.3.3 Si15
  • 1.4 光催化半导体异质结设计分类15-17
  • 1.4.1 量子点敏化15-16
  • 1.4.2 等离子效应16
  • 1.4.3 半导体-半导体异质结16-17
  • 1.4.4 负载助催化剂17
  • 1.5 本文的研究意义和研究内容17-19
  • 1.5.1 本文的研究意义17-18
  • 1.5.2 本文的研究内容18-19
  • 参考文献19-22
  • 第二章 实验部分22-26
  • 2.1 材料制备方法22
  • 2.2 材料表征22-25
  • 2.2.1 材料的形貌表征和物相分析22-23
  • 2.2.2 材料的光学性质分析23
  • 2.2.3 材料的PEC性能测试与表征23-24
  • 2.2.4 材料的电化学特性研究24-25
  • 参考文献25-26
  • 第三章 ZnIn_2S_4/TiO_2异质结光阳极的光电化学性能研究26-37
  • 3.1 前言26-27
  • 3.2 材料合成27-28
  • 3.2.1 TiO_2纳米棒的合成27
  • 3.2.2 ZnIn_2S_4纳米片/TiO_2纳米棒阵列的合成27-28
  • 3.3 实验结果和分析讨论28-34
  • 3.3.1 材料的形貌和物相分析28-31
  • 3.3.2 材料的光学性质31-32
  • 3.3.3 材料的PEC性能32-33
  • 3.3.4 材料的电化学阻抗特性33-34
  • 3.4 总结34-35
  • 参考文献35-37
  • 第四章 ZnIn_2S_4/TiO_2/Si多元异质结光阳极的光电化学性能研究37-50
  • 4.1 前言37-38
  • 4.2 材料合成38-39
  • 4.2.1 Si纳米线的合成38
  • 4.2.2 TiO_2/Si纳米线的合成38
  • 4.2.3 ZnIn_2S_4/TiO_2/Si异质结的合成38-39
  • 4.3 实验结果和分析讨论39-47
  • 4.3.1 材料的形貌和物相分析及光学性质39-41
  • 4.3.2 材料的PEC性能41-44
  • 4.3.3 材料的电化学阻抗特性44-46
  • 4.3.4 电荷传输机制46-47
  • 4.4 总结47-48
  • 参考文献48-50
  • 第五章 ZnFe_2O_4/α-Fe_2O_3异质结光阳极的光电化学性能研究50-61
  • 5.1 前言50
  • 5.2 材料的合成50-51
  • 5.2.1 Fe_2O_3纳米棒阵列的合成50-51
  • 5.2.2 ZnFe_2O_4/Fe_2O_3纳米棒的合成51
  • 5.3 实验结果和分析讨论51-57
  • 5.3.1 材料的形貌和物相分析51-54
  • 5.3.2 材料的光学性质和PEC性能54-56
  • 5.3.3 材料的电化学阻抗特性56-57
  • 5.4 电荷传输机制研究57-58
  • 5.5 总结58-59
  • 参考文献59-61
  • 第六章 Ni(OH)_2/α-Fe_2O_3异质结光阳极的光电化学性能研究61-72
  • 6.1 前言61-62
  • 6.2 材料的合成62-63
  • 6.2.1 超薄Fe_2O_3纳米薄膜的合成62
  • 6.2.2 Ni(OH)_2/Fe_2O_3的合成62-63
  • 6.3 实验结果和分析讨论63-69
  • 6.3.1 材料的形貌和物相分析及光学性质63-65
  • 6.3.2 材料的PEC性能65-67
  • 6.3.3 材料的电化学阻抗特性67-69
  • 6.4 总结69-70
  • 参考文献70-72
  • 主要结论72-74
  • 攻读硕士学位期间发表的论文74-76
  • 致谢76-78

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