碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应

发布时间：2017-08-21 02:01

  本文关键词：碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应

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【摘要】：利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触,且Al接触比Ti接触的势垒更高,接触电阻也更大,相应器件的开态电流和迁移率都较低。该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能,这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用。
【作者单位】： 北京大学信息科学技术学院纳米器件与物理化学教育部重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
【关键词】： 碳纳米管 薄膜晶体管 接触电阻 欧姆接触 肖特基势垒
【基金】：国家自然科学基金(61321001) 北京市科学技术委员会(Z141100003814006) 教育部(113003A)资助项目~~
【分类号】：TN321.5;O613.71
【正文快照】： 1引言近年来,利用网络状碳纳米管薄膜制备薄膜晶体管受到越来越多的关注1-5。这主要有两个方面的原因:(1)器件所需的碳纳米管材料制备相对容易。随着碳纳米管纯化技术的发展6-13,现在已经可以大规模得到纯度超过99%的半导体性碳纳米管溶液。(2)器件制备工艺相对简单。只需将基

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本文编号：710139