二硫化钼二维原子晶体化学掺杂研究进展

发布时间：2017-10-03 00:02

  本文关键词：二硫化钼二维原子晶体化学掺杂研究进展

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【摘要】：以二硫化钼(MoS_2)为代表的半导体二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)具有优异的光电特性,在新型电子器件领域展示出广阔的应用前景。二维MoS_2的性能调控与功能协同是实现其在电子器件领域实用化的关键。化学掺杂是调控二维MoS_2的性能并丰富其材料特性最为直接而有效的方法之一。本文重点介绍了基于表面电荷转移、面内取代以及层间插层策略的掺杂方法,讨论了各种掺杂方法的基本原理、最新进展以及局限性,最后展望了二维MoS_2掺杂研究面临的挑战与发展方向。
【作者单位】： 北京化工大学化学工程学院;清华大学化学系;
【关键词】： 二维二硫化钼 化学掺杂 表面吸附 面内取代 插层
【分类号】：O74
【正文快照】： 1引言 二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)是一个新兴的材料家族,呈现出丰富多彩的新奇性质,在光电器件、能源和催化等领域展示出巨大的应用前景1-4。TMDCs家族具有丰富的元素组成与电子结构,涵盖了导体(含超导和电荷密度波材料)与半导体材料5-9。其中单层Mo S2具有本征的直接带

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本文编号：961985