SiN薄膜纳米孔芯片制造工艺实验研究

发布时间：2017-12-14 13:26

  本文关键词：SiN薄膜纳米孔芯片制造工艺实验研究

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【摘要】：针对第3代基因测序的需求,提出一种大规模的氮化硅薄膜纳米孔芯片制造技术.通过测量不同膜厚氮化硅薄膜的应力,选择适用于纳米孔制造的最佳厚度为100 nm.采用低压化学气相沉积、反应离子刻蚀和释放工艺制备出高成品率的氮化硅纳米薄膜芯片.在此基础上,使用聚焦离子束和高能电子束实现氮化硅薄膜纳米孔的制造.研究聚焦离子束刻蚀时间、电流与纳米孔直径的关系.实验结果表明,采用聚焦离子束将氮化硅薄膜的厚度减薄至40 nm以下时,制作纳米孔的效果更好.采用聚焦离子束制造的氮化硅薄膜纳米孔最小直径为26 nm,而采用电子束制备的最小直径可达3.5 nm.该方法为基于固体纳米孔的DNA测序检测提供了有力的支撑.
【作者单位】： 东南大学江苏省微纳生物医疗器械设计与制造重点实验室;广东工业大学机电工程学院;东南大学MEMS教育部重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51435003,51375092,51302037)
【分类号】：TQ127.2;TB383.1
【正文快照】： (1Jiangsu Key Laboratory for Design and M anufacture of M icro-Nano Biomedical Instruments,Southeast University,Nanjing 211189,China)(2School of Electro-mechanical Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China)(3Key Laboratory of

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本文编号：1288091