PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）

发布时间：2017-12-17 17:27

  本文关键词：PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）

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【摘要】：研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的Al N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的Al N层,并讨论了Al N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。
【作者单位】： 长春理工大学光电工程学院高功率半导体激光国家重点实验室;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;
【基金】：国家自然科学基金(61076039,61204065,61205193,61307045) 高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005) 吉林省科技发展计划(20121816,201201116) 高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115)
【分类号】：TQ133.1
【正文快照】： 0.8 s and NH3for 10 s while the purge times after the0 IntroductionTMA and NH3pulses were 3 and 1 s,respectively.Plasma power was set to 300 W and turned on beforeGood thermal conductivity and high band gapthe NH3pulse and off before TMA pulse in eachmak

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