基于微柱状电极生长ZnO纳米线的研究（英文）

发布时间：2018-01-23 19:03

  本文关键词： 纳米线网 CVD 无催化剂 横向生长　出处：《稀有金属材料与工程》2017年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用硅衬底电极无催化剂制备横向ZnO纳米线,实现了二维氧化锌纳米线网电路的制备。本研究涉及的技术一方面可以为突破纳电子器件制备极限提供新技术参考;另一方面,去除了纳米线生长过程中的金催化剂污染,降低成本,简化工艺。
[Abstract]:Transverse ZnO nanowires were prepared by using silicon substrate electrode without catalyst. The fabrication of two-dimensional ZnO nanowire network circuit is realized. On the one hand, the technology involved in this study can provide a new technical reference for breaking through the fabrication limit of nanoscale electronic devices. On the other hand, the pollution of gold catalyst during nanowire growth is removed, the cost is reduced, and the process is simplified.
【作者单位】： 西北工业大学;焦作师范高等专科学校;
【基金】：the Natural Science Basic Research Plan in Henan Province(162300410080)
【分类号】：TB383.1;TQ132.41
【正文快照】： As a promising semiconductor,Zn O,has a large excitoncatalyst-free growth of Zn O nanowires network directly onbinding energy of 60 meV,and a wide band gap of 3.4 e V atSi O2/Si wafer with the independent designed nanometerroom temperature,high mechanica

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本文编号：1458018