a-C基底WS_x薄膜的制备及其摩擦学性能

发布时间：2018-04-08 13:30

  本文选题：二硫化钨　切入点：a-C　出处：《浙江工业大学学报》2017年04期

【摘要】：采用磁控溅射技术在200℃单晶硅片上沉积a-C薄膜,随后在不同溅射气压下沉积WSx薄膜.通过扫描电镜、能谱仪、XRD和XPS等分析了薄膜的形貌、成分与微观结构;采用纳米压痕仪、涂层附着力划痕仪和球盘式摩擦磨损试验机测试了薄膜的力学与摩擦磨损性能.结果表明:a-C基底上沉积的WSx薄膜表面平整、结构致密且随着气压升高而变得疏松,膜中WS2呈微晶或非晶结构;随着溅射气压升高,薄膜的S与W原子数比先增大后减小并趋于稳定;薄膜硬度逐渐降低,大气中的摩擦因数与磨损率均先减小后略微增大.0.8~1.0Pa条件下制备的WSx薄膜摩擦系数最低(约0.11),磨损率最低为4.34×10-15 m~3/(N·m),性能显著优于Si基底和钢基底上的WSx薄膜.
[Abstract]:A-C thin films were deposited on 200 鈩，

本文编号：1721848