多晶硅晶体生长中固-液界面研究进展

发布时间：2018-04-09 17:37

  本文选题：多晶硅　切入点：界面　出处：《人工晶体学报》2017年10期

【摘要】：论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面调控的影响,归纳总结目前国内外多晶硅生长界面的研究现状,展望了多晶硅晶体生长过程中固-液界面调控技术的发展前景。
[Abstract]:The research status of polysilicon crystal growth technology is reviewed, and the growth mechanism of polysilicon during directional solidification is discussed. The morphology, impurity distribution and mathematical model of solid-liquid interface in polycrystalline silicon directional growth are described emphatically.Numerical simulation and the effect of external field on interface regulation are summarized. The research status of polysilicon interface is summarized and the development prospect of solid-liquid interface control technology in the process of polycrystalline silicon crystal growth is prospected.
【作者单位】： 江西省高等学校硅材料重点实验室;新余学院新能源科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51664047) 江西省自然科学基金(20132BAB206021)
【分类号】：O78;TQ127.2

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本文编号：1727451