Al掺杂对ZnO纳米结构阵列的影响

发布时间：2018-04-22 13:40

  本文选题：ZnO + Al掺杂　； 参考：《压电与声光》2017年02期

【摘要】：采用脉冲电磁场辅助水热合成法制备了高比表面积、高能面暴露的ZnO纳米片阵列,通过场发射扫描电镜(FESEM)、X线衍射(XRD)及X线光电子能谱(XPS)等手段测试纳米结构阵列的性能。结果表明,经过Al掺杂后的ZnO纳米结构由棒状转变为六边形的片状结构,当Al的摩尔分数为1%时,纳米片彼此交错,组织均匀,垂直于衬底,与传统纳米棒相比,纳米片具有更大的比表面积及更多暴露的高能晶面,并对纳米棒向纳米片的转变机理进行了详细的分析和探讨。
[Abstract]:ZnO nanoarrays with high specific surface area and high energy surface exposure were prepared by pulsed electromagnetic field assisted hydrothermal synthesis. The properties of nanostructured arrays were measured by means of field emission scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the Al-doped ZnO nanostructures change from rod-like to hexagonal structures. When the mole fraction of Al is 1 / 1, the nanostructures are interlaced with each other, and the nanostructures are uniform and perpendicular to the substrates, compared with the conventional nanorods. The nanocrystalline films have larger specific surface area and more exposed high-energy crystal planes. The mechanism of the transition from nanorods to nanocrystals is analyzed and discussed in detail.
【作者单位】： 辽宁工业大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家教育部重点基金资助项目(2012031) 辽宁省自然科学基金资助项目(2015020215) 辽宁省高校优秀人才计划基金资助项目(LJQ2015050) 辽宁省高等学校创新团队基金资助项目(LT2013014)
【分类号】：TQ132.41;TB383.1

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本文编号：1787459