黑硅微结构与光学特性研究

发布时间：2018-10-09 12:40

【摘要】：利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅,研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响。采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性。研究结果表明,黑硅微结构密度增大和高度增加,则黑硅吸收率增大,高度较大的微结构更加有利于增强黑硅近红外光吸收。无掩模反应离子刻蚀法制备的黑硅的吸收率在高温退火过程中保持稳定。
[Abstract]:Black silicon was prepared by mask free reactive ion etching. The effects of density and height of black silicon microstructure on its optical properties were studied. The microstructure and optical properties of black silicon were characterized by field emission scanning electron microscope (SEM) and UV-Vis / NIR spectrophotometer with integral sphere respectively. The results show that the absorption rate of black silicon increases with the increase of the density and height of the black silicon microstructure, and the larger microstructure is more favorable to enhance the near infrared absorption of black silicon. The absorptivity of black silicon prepared by mask free reaction ion etching is stable during high temperature annealing.
【作者单位】： 重庆光电技术研究所;中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军事代表室;
【分类号】：TQ127.2

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本文编号：2259371