当前位置:主页 > 科技论文 > 化学工程论文 >

SiC纳米线增韧硅基和铪基高温防氧化抗烧蚀涂层研究

发布时间:2019-08-04 11:40
【摘要】:高温易氧化和烧蚀是碳/碳(C/C)复合材料作为高温热结构材料使用的瓶颈问题,防氧化抗烧蚀涂层技术是解决该难题的有效手段。其中,硅基和铪基陶瓷涂层是目前最有希望、研究最深入的涂层体系,但它们本身固有的脆性以及与C/C之间的热膨胀系数不匹配往往造成涂层的开裂和剥落,导致涂层失效。针对上述涂层体系易开裂和剥落等难题,本文提出SiC纳米线增韧硅基和铪基陶瓷涂层这一全新思路,并采用化学气相沉积(CVD)法、原位合成法、包埋浸渗法等相互结合的多种途径,成功地将不同形貌的SiC纳米线均匀地引入硅基和铪基陶瓷涂层中,制备了不同形貌的SiC纳米线增韧硅基和铪基陶瓷涂层,系统地研究了各种涂层体系和SiC纳米线的晶相组成及微观结构;考察了涂层的力学性能、热膨胀性能以及防氧化性能,揭示了纳米线的生长机理、涂层的防氧化失效机理以及纳米线的强韧化机制,主要研究内容与结果如下:采用CVD法和无压包埋浸渗法相结合制备了SiC纳米线增韧SiC涂层,即首先采用CVD法在C/C基体表面制备一层多孔SiC纳米线预制体,然后再采用无压包埋浸渗法将SiC陶瓷基体填充到制备的纳米线预制体中,从而获得SiC纳米线增韧SiC涂层,成功地实现了SiC纳米线在涂层中的均匀分布。研究发现,在涂层中引入纳米线后,涂层的断裂韧性提高了50%,裂纹密度降低了70%,涂层试件在1500℃静态空气中氧化44h后的失重率仅为2.68%。该研究揭示了SiC纳米线在涂层中的拔出和桥联以及裂纹转向等强韧化机制。基于纳米线的强韧化效果与界面结合状态之间的关联,创造性地提出采用热压包埋浸渗法制备纳米线增韧硅基陶瓷涂层的新思路,并采用CVD法和热压包埋浸渗法相结合制备了SiC纳米线增韧SiC-Si涂层,成功地实现了纳米线与涂层之间优异的界面结合,显著地提高了纳米线的强韧化效果,即涂层的断裂韧性提高了75%,裂纹密度降低了95%,从而使得涂层在1500℃静态空气中具有优良的防氧化能力,氧化70h后涂层试件失重率仅为0.51%。该研究发现了SiC纳米线自身的塑性变形以及纳米线与涂层基体之间界面的塑性断裂等新型强韧化机制,拓宽了SiC纳米线在复合材料中的强韧化机制。此外,该研究也揭示了涂层试样在1500℃等温氧化过程中的氧化失效机理,即在1500℃高温氧化环境下涂层氧化产生的Al~(3+)破坏了生成的SiO_2玻璃空间网状结构,增加氧气在玻璃层中的扩散速率,导致了C/C基体的氧化。针对硅基陶瓷涂层防氧化范围较窄的难题,采用CVD法和无压包埋浸渗法相结合制备了SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si宽温域防氧化多层复合涂层,该涂层在室温→1500℃宽温域范围内具有优良的防氧化能力,即在900℃低温静态空气中可对C/C复合材料有效保护313h以上,在1400℃高温静态空气中可对C/C复合材料有效保护112h以上。涂层试样在900℃的氧化失重主要是由于在整个氧化过程中氧气通过涂层中的贯穿性裂纹扩散至C/C基体表面使其氧化所引起的,而在1400℃的氧化失重主要是由于在1400℃?室温的热循环过程中氧气通过涂层中的贯穿性裂纹扩散至C/C基体表面使其氧化所引起的。针对CVD法制备SiC纳米线增韧多层复合涂层中存在硅基陶瓷涂层表面合成的SiC纳米线杂质含量高且与涂层之间的界面结合弱等问题,创造性地提出采用原位合成法制备SiC纳米线增韧多层复合涂层的新思路,并采用原位合成法和无压包埋浸渗法制备了SiC纳米线增韧SiC-Si/SiC-Si宽温域防氧化多层复合涂层,该涂层在室温→1500℃宽温域范围内可有效地防止C/C复合材料的氧化,试样的氧化行为一直表现出连续不断的增重过程,实现了硅基陶瓷涂层对C/C复合材料在室温→1500℃宽温域防氧化的保护。该研究发现了硅基陶瓷表面原位合成的SiC纳米线可以显著提高该材料与其他材料之间的界面结合强度,并揭示了SiC纳米线在界面处的界面结合和机械连锁等铆钉机制。受骨状短纤维强韧化机制的启发,创造性地提出特殊形貌(例如竹节状)SiC纳米线增韧陶瓷涂层的新思路,并采用两步CVD法制备了竹节状SiC纳米线增韧HfC涂层,成功地解决了现有CVD技术制备SiC纳米线增韧陶瓷涂层中纳米线与涂层基体之间界面结合较弱的难题。研究发现,竹节状纳米线的引入有效地避免了涂层的开裂和剥落,在涂层中引入纳米线后,涂层的断裂韧性提高了105%,且它与C/C基体之间的界面结合由0.35±0.12MPa提高至10.73±0.53MPa,这主要归因于竹节状SiC纳米线的强韧化机制以及界面铆钉机制。该研究发现了竹节状纳米线在拔出过程中借助自身的节点与周围涂层基体之间形成了特殊的机械连锁效应以及微裂纹增韧等新型强韧化机制。
【学位授予单位】:西北工业大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TQ174.758.16

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 徐立红,董允,张洪波,贾艳琴;SiC粒径对PTFE/SiCp复合材料耐磨性能的影响[J];河北工业大学学报;2003年01期

2 权高峰;SiC 颗粒增强镁基复合材料的研究[J];西安交通大学学报;1997年06期

3 柴剑玲;SiC表面形成的氧化膜的热稳定性[J];耐火材料;2003年01期

4 魏勤,张迎元,尤建飞;碳化硅颗粒增强铝基复合材料的SiC体积比测定[J];兵器材料科学与工程;2004年06期

5 费逸伟,于贤福,唐卫红,朱焕勤,赵纪平;SiC精细陶瓷抗激光加固材料的研究[J];兵器材料科学与工程;2001年01期

6 王玉霞,何海平,汤洪高;宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用[J];硅酸盐学报;2002年03期

7 郝旭升;世界SiC产量分布[J];耐火材料;1999年06期

8 张宏远;;陶瓷(SiC)模具在拉拔加工中的应用[J];湖南冶金;1988年01期

9 ;高压铸造法生产SiC晶须增强的铝合金基复合材料[J];金属功能材料;1996年05期

10 隋贤栋,罗承萍,骆灼旋,欧阳柳章;SiC颗粒增强Al-Si复合材料中的SiC及其界面[J];电子显微学报;2000年01期

相关会议论文 前10条

1 汤洪高;;宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年

2 潘宏菽;杨霏;霍玉柱;商庆杰;李亚丽;周瑞;;Si与SiC微波功率器件的比较[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年

3 吴东棣;王正东;R.克劳斯;庄子哲;;Si/SiC先进陶瓷材料缺口蠕变损伤的试验研究[A];第四届全国压力容器学术会议论文集[C];1997年

4 鲍慧强;彭同华;刘春俊;王波;李龙远;张贺;张玮;王锡铭;陈小龙;;天科合达实现高质量SiC晶体的产业化生产[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年

5 杨晓云;吴玉琨;叶恒强;;球磨Si_(50)C_(50)混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察[A];第十一次全国电子显微学会议论文集[C];2000年

6 李冬云;杨辉;乔冠军;金志浩;;纸制备SiC/Si层状陶瓷复合材料的微观结构和性能[A];中国硅酸盐学会陶瓷分会2005学术年会论文专辑[C];2005年

7 杨林;刘兵;邵友林;梁彤祥;唐春和;;凸台形包覆燃料颗粒SiC层破损率的理论计算及分析[A];中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第4册)[C];2009年

8 吴清仁;吴建青;文壁璇;;等静压SiC换热器管材的热物理分析[A];94'全国结构陶瓷、功能陶瓷、金属/陶瓷封接学术会议论文集[C];1994年

9 伍翠兰;廖小舟;陈江华;;具有Y型连接对称SiC双纳米线的形成机理[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集(第7分册)[C];2010年

10 朱丽娜;杨慧;彭同华;倪代秦;胡伯清;陈小龙;;SiC晶体多型界面处的微结构分析[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年

相关重要报纸文章 前3条

1 万林;加快我国SiC功率器件研发与商用步伐[N];中国电子报;2012年

2 吴宏鹏;逆反应烧结工艺制备Si_(3)N_(4)-SiC复合耐火材料[N];世界金属导报;2007年

3 记者 赵秋丽邋特约记者 李志臣 通讯员 栾维东;山东大学大直径SiC单晶研究获突破[N];光明日报;2007年

相关博士学位论文 前6条

1 齐晓霞;SiC纳米阵列和异质结构的调控生长、形成机理及性能研究[D];太原理工大学;2016年

2 褚衍辉;SiC纳米线增韧硅基和铪基高温防氧化抗烧蚀涂层研究[D];西北工业大学;2016年

3 王静;3C-SiC、Si量子点和硅基全色可调谐的固体薄膜[D];南京大学;2012年

4 牛宗伟;纳米羟基磷灰石/SiC晶须复合生物陶瓷材料及其加工[D];山东大学;2005年

5 李云;3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面再构的原子结构和电子结构的理论研究[D];复旦大学;2006年

6 张洋;超声波作用下SiC与Zn-Al连接界面行为及焊缝强化机理[D];哈尔滨工业大学;2009年

相关硕士学位论文 前10条

1 张峰浩;AlCuFe准晶的制备及其与SiC分别增强ZL101的研究[D];中北大学;2016年

2 翟美欣;SiC纳米线初期微观生长模式及Ni液滴尺寸对其影响的理论计算和模拟研究[D];青岛科技大学;2016年

3 解亚军;微波合成SiC晶体的工艺研究[D];郑州大学;2016年

4 易熠;具有正负双向工作电流SiC二极管热阻测试仪开发与研究[D];北京工业大学;2016年

5 张克基;3C-SiC压阻式压力传感器研究[D];西安电子科技大学;2013年

6 王浩洋;分离回收硅切割废浆料中的Si和SiC[D];大连理工大学;2012年

7 盛百城;第一性原理方法研究空位缺陷Si与SiC的结构与导电性[D];北京化工大学;2011年

8 赵淑贞;SiC单晶的表面清洗和化学蚀刻研究[D];哈尔滨工业大学;2013年

9 王利庭;激光作用下SiC晶须生长条件的研究[D];南京航空航天大学;2008年

10 张波;重力环境中Zr基合金与SiC及W之间的润湿性和界面反应[D];沈阳理工大学;2009年



本文编号:2522919

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxuehuagong/2522919.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户83ee9***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com