GZO陶瓷的拉曼光谱研究

发布时间：2019-08-15 06:46

【摘要】：采用固相烧结方法制备了纯ZnO陶瓷及GZO(Ga:ZnO)陶瓷。借助拉曼光谱和X射线衍射分别对ZnO陶瓷和不同掺Ga含量的GZO陶瓷进行了测量与分析。结果表明:GZO陶瓷均保持六角纤锌矿结构,在98cm-1,437cm-1处分别出现ZnO的特征峰E2(low)和E2(high);比之纯ZnO陶瓷,在GZO陶瓷的拉曼光谱中出现了位于584cm-1以及631cm-1附近的新峰,位于1148cm-1附近的E1(LO)的倍频模随着Ga掺杂浓度的提高也发生了一些变化。对新峰的振动模归属以及掺杂后原有峰的变化进行了讨论,其中将位于631cm-1附近的拉曼峰,归因于Ga替代Zn位与O成键的局域振动模式(LVMGa-O)。
[Abstract]:Pure ZnO ceramics and GZO (Ga:ZnO) ceramics were prepared by solid phase sintering. ZnO ceramics and GZO ceramics with different Ga content were measured and analyzed by Raman spectroscopy and X-ray diffraction, respectively. The results show that the hexagonal wurtzite structure of GZO ceramics is maintained, and the characteristic peaks of ZnO E2 (low) and E2 (high); ratio pure ZnO ceramics appear at 98cm-1437cm-1, and a new peak near 584cm-1 and 631cm-1 appears in the Raman spectra of GZO ceramics. The frequency doubling mode of E1 (LO) near 1148cm-1 also changes with the increase of Ga doping concentration. The vibration mode assignment of the new peak and the change of the original peak after doping are discussed. The Raman peak near 631cm-1 is attributed to the local vibration mode (LVMGa-O) in which Ga replaces the Zn site and O bond.
【作者单位】： 北京工业大学激光工程研究院;北京工业大学应用数理学院;
【基金】：国家自然科学基金(11374031)
【分类号】：O657.37;TQ174.1

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2526825