泡沫注凝法制备氧化锆多孔陶瓷的工艺研究与分析
【学位授予单位】:北京交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TQ174.1
【图文】:
10逦20逦30逦40逦50逦60逦70逦80逡逑20邋(°)逡逑图2.1氧化锆原料粉的X射线衍射分析图逡逑Fig.2.1邋XRD邋pattern邋of邋Zr02邋raw邋material邋powders逡逑
催化剂为N,N,N’,N’-四甲基乙二胺(TEMED),引发剂为过硫酸铵(APS)。逡逑2.3氧化锆多孔陶瓷的制备逡逑氧化锆多孔陶瓷制备的具体工艺流程如图2.2所示,其制备过程可分为坯体成逡逑型、干燥与烧结两部分。逡逑[去离子水][有机单体和交联剂邋][分散剂、逡逑1逦I逡逑mim邋1逦f原料粉体'逡逑v逦逦y逦v逦J逡逑1邋1逡逑球磨)逦逦逡逑机械搅拌逦逦r一^;逦(发泡剂^逡逑/逦(逦T*逦逦[稳泡剂逡逑广泡^逦V逦逦)逦f催化剂1逡逑^逦t ̄[引发剂逡逑>1^逦注模逦逦逡逑袭?沷逦、逦邋?逡逑[邋固化:逡逑k模、干燥]逡逑逦\邋[逦逡逑[邋烧结:逡逑图2.2氧化锆多孔陶瓷制备工艺流程图逡逑Fig.2.2邋Process邋flow邋chart邋for邋preparation邋of邋Zr02邋porous邋ceramics逡逑9逡逑
干燥程序:微波工作8邋s后静置600邋s,循环重复上述程序,干燥总时长为3000邋min。逡逑干燥结束后的试样在箱式电阻炉(GGME-12/80,上海国龙仪器仪表厂)中进逡逑行烧结。具体烧结制度如图2.3所示(以烧结温度1550邋°C为例),升温降温速度逡逑均不高于2邋°C/min,在最高温下保温5邋h后缓慢降温,当温度达300邋°C时随炉冷逡逑却。逡逑10逡逑
【参考文献】
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本文编号:2768571
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