化学气相沉积法制备二维二碲化钼的研究

发布时间：2020-12-19 00:45

　　二碲化钼由于其由体材料向单层转变时,会由间接带隙转变为直接带隙,而且具有与硅类似的能带隙,而受到了广泛的关注。但是由于体材料二碲化钼原子层之间的范德瓦尔斯力比较大,通过机械剥离方法制备单层二碲化钼薄膜是比较困难的,而且此方法下得到大面积的单层薄膜也是不太现实的,因此如何通过化学气相沉积法实现可控的大面积、高结晶质量的单层或薄层二维二碲化钼薄膜制备,就成为一个非常重要的研究课题。本论文围绕通过利用化学气相沉积法可控地制备比较大面积、高结晶质量的二维二碲化钼为基础展开研究,其研究主要内容如下:1、通过改进反应装置,实现在常压下,通过化学气相沉积法,在单温区高温管式炉中制备出二维二碲化钼薄膜,这使得实验步骤变得简单节省成本。并利用了光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜等对制备出的二碲化钼薄膜的成膜质量进行表征分析,证明得到了结晶质量较好的单层和少层的1T’相二碲化钼薄膜。2、通过调节CVD法制备二碲化钼中的生长温度、药品的比例,以及衬底的位置等参数,探究了不同生长条件对于二碲化钼成膜质量的影响,讨论了实现CVD法制备面积和质量都较好的的单层和薄层的二碲化钼薄膜的最适... 

【文章来源】：北京交通大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：54 页

【学位级别】：硕士

【图文】：

图１－１石墨烯（左上角）是碳原子的蜂窝状晶格；石墨（右上角）可以看作是层状石墨烯堆??

出现碳原子缺失或是被杂原子所替换的现象，使其电子在移动过程中不会因晶体??缺陷而被干扰到，所以石墨具有非常优良的导电性。??图１－２石墨煤能带结构??Ｆｉｇｕｒｅ?１－２?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｇｒａｐｈｅｎｅ??目前，石墨烯己被证实是一带隙（价带顶与导带底之间的能量范围）为零的半??导体［７］，而石墨烯的电子结构会随着层数以及层间堆叠方式的的变化呈现出不同的??特点，单层石墨烯和双层石墨悌（Ａ－Ａ方式堆叠）的带隙为零；［８］而以Ａ－Ｂ堆叠??方式形成的双层石墨烯由于其带隙被打开而呈现出了半导体特性。［９］??Ａ－Ａ堆叠?Ａ－Ｂ堆叠??霉嘗馨ｉ．??图１－３石墨烯Ａ－Ａ堆叠和Ａ－Ｂ堆叠的能带结构??Ｆｉｇｕｒｅ?１－３?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?Ａ?Ａ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ?ａｎｄ?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＡＢ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ??石墨烯具有广泛的应用前景，由于石墨烯的独特特性它可以被应用于：??３??

?Ａ－Ｂ堆叠??霉嘗馨ｉ．??图１－３石墨烯Ａ－Ａ堆叠和Ａ－Ｂ堆叠的能带结构??Ｆｉｇｕｒｅ?１－３?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?Ａ?Ａ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ?ａｎｄ?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＡＢ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ??石墨烯具有广泛的应用前景，由于石墨烯的独特特性它可以被应用于：??３??


本文编号：2924921