P（VDF-TrFE）/PLZT复合材料制备与性能研究
发布时间：2020-12-30 20:40
在电子材料领域,单一材料的性能很难满足所有需求,因此复合材料成为研究的热点。钙钛矿陶瓷材料介电、压电常数高、模量大,但加工性能差;含氟聚合物压电材料介电和压电性能低,但其模量低,可塑性好。因此,本文分别采用原子自由基连转移方法（ATRP）合成了聚偏氟乙烯-三氟乙烯（P（VDF-TrFE））铁电聚合物;采用溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅镧（PLZT）陶瓷粉;然后采用溶液流延法制备了 P（VDF-TrFE）/PLZT复合材料。该复合材料具有高介电常数、高压电性能、低脆性和低密度等优点。论文具体工作如下:1)鉴于传统P（VDF-TrFE）价格高、不易合成,利用ATRP方法,以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯（P（VDF-CTFE））为原料,将P（VDF-CTFE）中CTFE单元中的Cl原子用H原子完全取代,使CTFE单元转变为TrFE单元从而制得氢化P（VDF-TrFE）,并表征了其结构和介电性能。2)为获得细颗粒度的PLZT陶瓷粉末,提高PLZT陶瓷活性,采用溶胶-凝胶法制备了 PLZT陶瓷粉体,经压片和极化处理后,该PLZT陶瓷片33方向上压电常数可达121pC/N。3)采用溶液流延法制备了不同质量分...
【文章来源】：西安理工大学陕西省
【文章页数】：48 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
PVDF分子链构象示意图
P(VDF-TrFE)压电原理示意图。 (a) P(VDF-TrFE)驻极体；(b) 沿铁电轴方P(VDF-TrFE)；(c) 沿铁电轴方向压缩 P(VDF-TrFE)igure 1-3 P (VDF-TrFE) piezoelectric schematic diagram. (a) P (VDF-TrFE) eleompressing P (VDF-TrFE) in the direction of the ferroelectric axis; (c) compressin(VDF-TrFE)
绪论3)热释电性在某些晶体中，因为温度变化从而引发物质极化的状态发生变化的现电性(pyroeectricity)，热释电体也称为电元件是具有热释电性质的材703 年时，荷兰一位商人发现在锡兰购买的电气石在加热时会吸引或，因此称其是锡兰磁铁(Ceylon magnet)，因对这种现象的研究，从而现了热释电概念。热释电效应的本质是由于温度的变化ΔT 导致电位移值变化ΔD：原内的电畴是固定方向排列，宏观上表现出强极性，表面存在电荷，但的变化，例如升温后热释电体内的电畴因为分子的热运动从而排列宏观上表现出极性减弱，表面的电荷密度降低，其过程如图 1-4 所示
【参考文献】：
期刊论文
[1]聚偏氟乙烯的晶体结构及应用[J]. 张军英,李新开,王清海,冀克俭,王树伦. 工程塑料应用. 2008(12)
[2]聚偏氟乙烯膜性能影响因素探讨[J]. 张炯,吴君毅,粟小理. 有机氟工业. 2006(03)
[3]水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用[J]. 邓宏,姜斌,曾娟,李阳,王恩信. 材料导报. 2001(07)
[4]PVDF压电薄膜的应用进展[J]. 徐红星,骆英,柳祖亭. 江苏理工大学学报(自然科学版). 1999(05)
[5]工艺对0-3复合材料介电和压电性能的影响[J]. 严继康,张建成,吴文彪,沈悦. 上海大学学报(自然科学版). 1999(02)
[6]化学法制备PLZT纳米粉工艺[J]. 英宏,修稚萌,李锦红,刘中雪,J.Yeomans,孙旭东. 中国有色金属学报. 1998(S2)
[7]溶胶—凝胶法合成PLZT超细粉末[J]. 惠博然,朱大伟,刘博林,张军. 长春光学精密机械学院学报. 1998(03)
[8]0-3型压电复合材料的电晕放电极化[J]. 朱嘉林,王丽坤,李万忠,张福学. 电子元件与材料. 1998(04)
[9]PVDF/PMN-PZT复合驻极体薄膜及其特性[J]. 杨大本,许萍. 电子元件与材料. 1997(05)
本文编号：2948270
【文章来源】：西安理工大学陕西省
【文章页数】：48 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
PVDF分子链构象示意图
P(VDF-TrFE)压电原理示意图。 (a) P(VDF-TrFE)驻极体；(b) 沿铁电轴方P(VDF-TrFE)；(c) 沿铁电轴方向压缩 P(VDF-TrFE)igure 1-3 P (VDF-TrFE) piezoelectric schematic diagram. (a) P (VDF-TrFE) eleompressing P (VDF-TrFE) in the direction of the ferroelectric axis; (c) compressin(VDF-TrFE)
绪论3)热释电性在某些晶体中，因为温度变化从而引发物质极化的状态发生变化的现电性(pyroeectricity)，热释电体也称为电元件是具有热释电性质的材703 年时，荷兰一位商人发现在锡兰购买的电气石在加热时会吸引或，因此称其是锡兰磁铁(Ceylon magnet)，因对这种现象的研究，从而现了热释电概念。热释电效应的本质是由于温度的变化ΔT 导致电位移值变化ΔD：原内的电畴是固定方向排列，宏观上表现出强极性，表面存在电荷，但的变化，例如升温后热释电体内的电畴因为分子的热运动从而排列宏观上表现出极性减弱，表面的电荷密度降低，其过程如图 1-4 所示
【参考文献】：
期刊论文
[1]聚偏氟乙烯的晶体结构及应用[J]. 张军英,李新开,王清海,冀克俭,王树伦. 工程塑料应用. 2008(12)
[2]聚偏氟乙烯膜性能影响因素探讨[J]. 张炯,吴君毅,粟小理. 有机氟工业. 2006(03)
[3]水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用[J]. 邓宏,姜斌,曾娟,李阳,王恩信. 材料导报. 2001(07)
[4]PVDF压电薄膜的应用进展[J]. 徐红星,骆英,柳祖亭. 江苏理工大学学报(自然科学版). 1999(05)
[5]工艺对0-3复合材料介电和压电性能的影响[J]. 严继康,张建成,吴文彪,沈悦. 上海大学学报(自然科学版). 1999(02)
[6]化学法制备PLZT纳米粉工艺[J]. 英宏,修稚萌,李锦红,刘中雪,J.Yeomans,孙旭东. 中国有色金属学报. 1998(S2)
[7]溶胶—凝胶法合成PLZT超细粉末[J]. 惠博然,朱大伟,刘博林,张军. 长春光学精密机械学院学报. 1998(03)
[8]0-3型压电复合材料的电晕放电极化[J]. 朱嘉林,王丽坤,李万忠,张福学. 电子元件与材料. 1998(04)
[9]PVDF/PMN-PZT复合驻极体薄膜及其特性[J]. 杨大本,许萍. 电子元件与材料. 1997(05)
本文编号：2948270
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