激子扩散和表面复合对GaN和ZnO光致荧光的影响

发布时间：2021-01-28 02:17

　　作为宽禁带直接带隙半导体,GaN和ZnO在蓝光发光二极管、紫外半导体激光器、半导体照明等光电子器件领域有着广泛的研究与应用。尽管GaN及其相关的Ⅲ族-氮化物光电器件已经实现了产业化,但仍存在一些尚未完全解决的基础科学问题,如紫外光（UVL）带、蓝光（BL）带和黄光（YL）带的起源问题长期悬而未决。ZnO具有和GaN类似的光电子领域应用,但其激子束缚能更大（～60 meV）,且可以通过相对简单的生长技术获得高质量的体单晶材料,可以使ZnO基光电器件的制造成本更低。然而,稳定的p型掺杂问题一直是制约ZnO光电器件产业化的瓶颈,可能与对ZnO中的一些缺陷的认识不足有关,如ZnO的绿光（GL）带、YL带和红光（RL）带的起源。传统观点认为,半导体荧光主要与体内的激子复合和缺陷有关,很少关注表面状态对半导体荧光发射的影响。例如,在激子荧光的动力学演化研究中,人们往往忽略激子表面复合的影响,从而导致一些拟合的参数缺乏明确的物理意义。本论文通过表面钝化方法阻止激子表面复合和相关的荧光过程的发生,进而利用荧光光谱、激发光谱和时间分辨光谱系统研究了激子扩散和表面复合对GaN和ZnO荧光光谱的影响。本论文... 

【文章来源】：大连理工大学辽宁省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：141 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

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图１．４?３．５?Ｋ下ＧａＮ外延膜的激子共振ＰＬ谱［２７】??

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本文编号：3004173