BaAlBSi系高膨胀系数玻璃陶瓷掺杂改性研究

发布时间：2021-03-15 00:04

　　随着科技的迅猛发展,芯片呈现高度集成,高运算效率,低功耗的特点。相应地,电子芯片封装材料为实现其与金属导线的共烧的要求,需选用低温共烧陶瓷（LTCC）材料。BaAlBSi系玻璃陶瓷因其综合性能优越而作为芯片二级封装材料应用。本文主要对该体系玻璃陶瓷进行掺杂改性研究。BaAlBSi系玻璃陶瓷样品的制备是由传统固相法完成的。针对掺杂样品的热学性能、机械性能、结晶相组成、显微图片以及电学参数进行研究,分析掺杂不同添加剂对材料体系的影响。通过掺杂添加剂发现,适量的MnO促进了BaAlBSi玻璃陶瓷结晶,从而提升BaAlBSi玻璃陶瓷的机械性能。掺入1wt%的MnO时,玻璃陶瓷样品的抗弯强度增大为201.2MPa,杨氏模量为79.7GPa,优良的介电常数为6.31,介电损耗仅4.54×10^-4且热膨胀系数（CTE）为11.7×10^-6/°C,综合参数最优。掺0.5wt%Bi₂O₃入BaAlBSi玻璃陶瓷中,得到了机械强度较高（抗弯强度:171.7MPa,杨氏模量:71.6GPa）,介电常数优良（ε=6.17）... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：65 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

芯片结构示意图

BaAlBSi系高膨胀系数玻璃陶瓷封装材料的制备工艺流程图

掺杂不同含量MnO的BaAlBSi玻璃陶瓷样品的XRD通过对比表3-1中数据我们可以显而易见地发现随着MnO掺杂量的增加试样


本文编号：3083198