Mg基半导体的第一性原理研究与人工智能在团簇领域的应用
发布时间:2021-06-14 05:18
化学式为ABC2的三元化合物家族中,许多成员在光学领域有广泛的应用,包括非线性光学领域、光伏领域等等。2018年K.E.Woo的研究组在实验中首次合成出ABC2族化合物MgSiAs2,并测试发现它具有良好的红外谱区非线性光学性质。同时,研究组在合成产物中发现了一种全新的结构,其化学式为Mg3Si6As8,是一种半直接带隙半导体,带隙值为2.02 eV。该种材料能带结构的价带顶有许多能量相近的极大值点,这些极大值点都可以作为吸光通道,因此材料的光吸收系数高,可能具有良好的光伏性质。材料中的缺陷会对材料的光、电、磁性能造成极大的影响。比如非线性光学材料必须在服役光谱区内透明,而缺陷引入的带隙态会影响材料的透明度,使材料的透明谱区缩短。对于光伏材料,材料中的元素替位掺杂会直接影响材料的带隙值,而带隙值与材料的光伏性能直接相关。此外,在磁性材料领域,磁性过渡金属掺杂的非磁性半导体,又称稀磁半导体,也是一种备受关注的新材料。本文分为两部分,前半部分就MgSiAs2与Mg3Si6As8两种材料中,掺杂对光、电、磁性质的影响进行了系统而深入的研究,论文的前半部分分为五个章节。在第一章中,通过分析Mg...
【文章来源】:中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:101 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1.2?(A)?Mg3Si6As8与(B)?SiAs二元化合物中Sh@As6八面体网格示??意图
与吸光跃迁过程结合,可以引入一种半直接光??跃迁现象。比如,向上跃迁时,材料是直接带隙,跃迁后,应力控制材料变成??间接带隙,这样,跃迁到导带的电子向下跃迁概率减小,留在导带的比例增??大,时间加长,因而可能实现更高的光伏效率[22_24]。??MgSiAs2?Mg3Si6Asg??f:^S????-1????o???z?r?x?p?n?r?m?x?r?r??帽麵??-4-2?0?2?4?>1?0?2?3??Energy/eV?Energy/eV??图1.3?MgSiAs2和MgsSisAss能带与电子态密度(DOS)。??图1.3给出MgSiAsdIlMg3Si6As8的能带与电子态密度。由能带图可见,??Mg3Si6As8的价带顶较平,因此当材料吸光跃迁时,有更多跃迁概率相近的的吸??光通道,可以猜测材料的吸光系数可能较大,同样说明材料的光伏效率可能较??4??
?第1章Mg基三元半导体的研究背景???c?inn|?inn丨丨丨丨丨??'〇?^75?Relaxation/^?? ̄?c?to?band^/ge|ow.bancjgap??〇?山?50?edgey^?photons??c艺?/??CD?〇>25:??0?1?2?3??Bandgap?(eV)??图1.4光伏半导体光伏效率与带隙关系图。??如前所述,单种光伏材料只能利用到极有限的一部分光谱区的太阳光,于??是,其光伏效率最大也超不过肖克利-奎伊瑟极限。鉴于此,有研究者提出,将??多种光伏材料叠起来做成串联电池来提高光伏效率[28,36」7]。图1.5给出一个多??层光伏电池的结构示意图。在多层光伏电池中,从上层到下层,材料的带隙值??依次变宽,入射光先经过带隙最宽的第一层材料,一部分短波谱区的光子被吸??收;能量低于第一层材料带隙值的长波光子绝大多数都能透射到第二层,第二??层材料再吸收转化一段波长较长的谱区;能量小于第二层材料带隙的光子则透??射到第三层,以此类推,实现对可见光谱更充分的利用,达到更高的光伏效??率。实验合成多层光伏电池多为两到三层[32]。??图1.5多层光伏电池示意图??在多层光伏电池中,除了前面所述的四种损失,由于存在界面,还可能引??入界面上的反射,以及界面电阻,带来额外的损失。因此不同材料之间晶格适??配性一定要好,这样界面电阻才不会太大,界面反射才不会太严重。??6??
【参考文献】:
期刊论文
[1]Theoretical prediction on thermal and mechanical properties of high entropy(Zr0.2Hf0.2Ti0.2Nb0.2Ta0.2)C by deep learning potential[J]. Fu-Zhi Dai,Bo Wen,Yinjie Sun,Huimin Xiang,Yanchun Zhou. Journal of Materials Science & Technology. 2020(08)
本文编号:3229148
【文章来源】:中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:101 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1.2?(A)?Mg3Si6As8与(B)?SiAs二元化合物中Sh@As6八面体网格示??意图
与吸光跃迁过程结合,可以引入一种半直接光??跃迁现象。比如,向上跃迁时,材料是直接带隙,跃迁后,应力控制材料变成??间接带隙,这样,跃迁到导带的电子向下跃迁概率减小,留在导带的比例增??大,时间加长,因而可能实现更高的光伏效率[22_24]。??MgSiAs2?Mg3Si6Asg??f:^S????-1????o???z?r?x?p?n?r?m?x?r?r??帽麵??-4-2?0?2?4?>1?0?2?3??Energy/eV?Energy/eV??图1.3?MgSiAs2和MgsSisAss能带与电子态密度(DOS)。??图1.3给出MgSiAsdIlMg3Si6As8的能带与电子态密度。由能带图可见,??Mg3Si6As8的价带顶较平,因此当材料吸光跃迁时,有更多跃迁概率相近的的吸??光通道,可以猜测材料的吸光系数可能较大,同样说明材料的光伏效率可能较??4??
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【参考文献】:
期刊论文
[1]Theoretical prediction on thermal and mechanical properties of high entropy(Zr0.2Hf0.2Ti0.2Nb0.2Ta0.2)C by deep learning potential[J]. Fu-Zhi Dai,Bo Wen,Yinjie Sun,Huimin Xiang,Yanchun Zhou. Journal of Materials Science & Technology. 2020(08)
本文编号:3229148
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