金属-过渡金属二硫化物异质结的第一性原理研究

发布时间：2021-06-23 17:05

　　在各种二维材料中,单层过渡金属硫族化合物,因为具有可观的带隙（Eg,1-2e V）和较高的载流子迁移率和开/关比,已显示出作为半导体材料的巨大潜力。MoS₂更是由于其独特的物理特性（例如依赖于层数的直接-间接带隙转换以及原子尺度的相变等）,在低功耗器件应用中受到广泛关注。然而较高的接触电阻一直限制着器件的性能,因此寻求提高接触性能的解决办法一直以来都是这一领域的一大研究重点和难点。本论文基于第一性原理计算,对金属-单层MoS₂和金属-多层MoS₂异质结的接触性能做了系统的研究和分析。本论文对二维层状材料和过渡金属硫族化合物的基本性质做了系统介绍。重点归纳了MoS₂的两种结构相（1T相和2H相）的结构特性和电学性质,阐述了目前在场效应晶体管应用中面临的困难和国内外的研究现状。并且基于第一性原理的方法,对结构性能做了各方面的分析。在不同的金属-单层MoS₂异质结中,从接触界面出发,说明较小的晶格失配更有利于异质结界面的成键和载流子迁移,而且具有合适金属功函数和一些d轨道金属更适合做... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：69 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

二维材料优点示意图[1]

TMD的3种结构相(a)1T型结构相(b)2H型结构相(c)3R型结构相

TMD中2H相的3种堆叠结构


本文编号：3245326