少层FeS 2 的低温物理性质研究
发布时间：2021-06-25 09:08
近年来,在以石墨烯为代表的二维（2D）材料中观测到的量子霍尔效应、二维超导等奇异的输运性质引起了人们对二维材料的研究热潮。最近,在层状过渡金属硫化物（TMDCs）中,因其特殊的晶体结构与特有的强自旋—轨道耦合作用导致的二类Weyl费米子更是引起了物理学界的广泛关注。特别是随着样品制备技术的进步,人们最近在单层WTe2中实现了量子反常霍尔效应,在单层二硫化钼（MoS2）中通过铁磁门电极调控实现了巨磁阻效应,以及在单层VS2中观察到了室温铁磁性。这些工作为研究少层过渡金属硫化物在自旋电子学中的应用普奠定了基础。但是,目前这些单层过渡金属硫化物均是通过复杂的机械解理工艺得到的,并涉及到多步的样品转移过程,极大地限制了人们的研究进度。因此,有必要寻找一种更容易获得二维铁磁材料的新途径。本研究以此为出发点,利用化学气相沉积技术（CVD）生长了高质量的少层FeS2样品,通过高分辩透射电子显微镜（HETEM）、拉曼光谱（Raman Spectra）、X射线光电子能谱（XPS）等手段对样品进行了表征,证明其是2H相...
【文章来源】：辽宁大学辽宁省 211工程院校
【文章页数】：44 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
过渡金属硫化物（TMDCs）晶体结构（a）-（c）few-layerMX2样品中的1H相，1T相与1T’相（d）-（e）bulkMX2样品中的1T’相与1Td相（f）单层MX2样品中的1Td
图 1-2 二硫化钼（a）能带结构和（b）布里渊区（c）MoS2,WS2,MoSe2,WSe2,MoTe2和 WTe26 种材料能隙（d）通过计算得到的边缘态（e）距离离边缘距离的函数的 g 点的局部状态密度。图片来源[17-19]这是继拓扑绝缘体后，二维材料领域里又一重大发现，这一发现一经发表立刻引起了人们对过渡金属硫化物（TMDCs）的巨大研究兴趣，拓宽了 TMDCs材料自旋量子器件的应用范围。1.2.2 巨磁阻效应巨磁阻效应：（Giant Magneto Resistance，GMR）在磁性材料中，非常小的磁性变化可以使电阻发生巨大的变化。1988 年，法国科学家 Albert Fert 和德国科学家 Peter Grünberg[20]分别独立发现了这一新奇现象，并共同获得了 2007 年的诺贝尔物理学奖。
第 1 章 绪论对这一领域不断深入研究，尤其是近几年在 WExtremely Large positive Magnetoresistance ，饱和趋势。如图 1-3[21]所示，当温度 T=4.5K,resistance,MR）达到 452，700%，随着磁阻一极限）并降低温度至 MR 值为 13，000，000%
本文编号：3248931
【文章来源】：辽宁大学辽宁省 211工程院校
【文章页数】：44 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
过渡金属硫化物（TMDCs）晶体结构（a）-（c）few-layerMX2样品中的1H相，1T相与1T’相（d）-（e）bulkMX2样品中的1T’相与1Td相（f）单层MX2样品中的1Td
图 1-2 二硫化钼（a）能带结构和（b）布里渊区（c）MoS2,WS2,MoSe2,WSe2,MoTe2和 WTe26 种材料能隙（d）通过计算得到的边缘态（e）距离离边缘距离的函数的 g 点的局部状态密度。图片来源[17-19]这是继拓扑绝缘体后，二维材料领域里又一重大发现，这一发现一经发表立刻引起了人们对过渡金属硫化物（TMDCs）的巨大研究兴趣，拓宽了 TMDCs材料自旋量子器件的应用范围。1.2.2 巨磁阻效应巨磁阻效应：（Giant Magneto Resistance，GMR）在磁性材料中，非常小的磁性变化可以使电阻发生巨大的变化。1988 年，法国科学家 Albert Fert 和德国科学家 Peter Grünberg[20]分别独立发现了这一新奇现象，并共同获得了 2007 年的诺贝尔物理学奖。
第 1 章 绪论对这一领域不断深入研究，尤其是近几年在 WExtremely Large positive Magnetoresistance ，饱和趋势。如图 1-3[21]所示，当温度 T=4.5K,resistance,MR）达到 452，700%，随着磁阻一极限）并降低温度至 MR 值为 13，000，000%
本文编号：3248931
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