不同Sn含量氧化铟锡靶材的制备及其第二相特征

发布时间：2021-07-12 20:10

　　以气化In₂O₃和SnO₂粉为原料,在原料体系中按照SnO₂为4%（质量分数）、6%、8%和10%的比例分别与In₂O₃混料,使用模压辅助冷等静压（CIP）成型的方法制备出ITO（氧化铟锡）靶材坯体,并在1 550℃氧气氛条件下烧结,制得不同Sn含量的ITO靶材;将靶材试样粉碎、过筛后腐蚀,并提取腐蚀产物,对不同Sn含量靶材表面及腐蚀产物的显微组织、物相组成、密度和电阻率进行了观察和测试,并进行分析。结果表明:腐蚀产物为ITO靶材第二相In₄Sn₃O₁₂;ITO靶材的晶粒尺寸随SnO₂含量的增加而减小,晶界第二相总量逐渐提高并稳定在3μm以下;靶材晶内小颗粒尺寸随SnO₂含量的增加而增大,并稳定在100 nm以下;靶材第二相均出现微量失氧,且失氧率均在1.1%左右;靶材的实际密度和理论密度均随SnO₂含量的增加而提高,其中,实... 

【文章来源】：硅酸盐学报. 2020,48(06)北大核心EICSCD

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

ITO靶材样品晶内SEM照片

图3 ITO靶材样品晶内SEM照片由图2可见，在弱酸条件下，靶材主相和第二相的腐蚀速率即存在差异，晶界处第二相均凸出，说明靶材主相更易于被腐蚀且腐蚀速率更快；而王水腐蚀后产物的尺寸仍基本与晶界第二相一致，说明靶材第二相难于被腐蚀。为加快靶材主相的腐蚀速率以便提高提取第二相的效率和效果，需要将靶材至少粉碎至100μm以下；同时为确保所提取第二相的纯度，需要用王水至少腐蚀48 h以上。

由图2可见，在弱酸条件下，靶材主相和第二相的腐蚀速率即存在差异，晶界处第二相均凸出，说明靶材主相更易于被腐蚀且腐蚀速率更快；而王水腐蚀后产物的尺寸仍基本与晶界第二相一致，说明靶材第二相难于被腐蚀。为加快靶材主相的腐蚀速率以便提高提取第二相的效率和效果，需要将靶材至少粉碎至100μm以下；同时为确保所提取第二相的纯度，需要用王水至少腐蚀48 h以上。2.2.2 腐蚀产物的物相分析

【参考文献】：
期刊论文
[1]直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响[J]. 彭寿,蒋继文,李刚,张宽翔,杨勇,姚婷婷,金克武,曹欣,徐根保,王芸.  硅酸盐学报. 2016(07)
[2]In2O3-10SnO2陶瓷中In4Sn3O12与富Sn析出相特征[J]. 侯俊峰,周科朝,李志友,王科,甘雪萍.  中南大学学报(自然科学版). 2016(05)



本文编号：3280579