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CuSbS 2 和Cu 2 ZnSnS 4 p-n结纳米线光阳极的制备、表征及其光电性能研究

发布时间:2021-08-01 07:21
  近年来,太阳能光催化制氢技术成为解决当前环境污染和能源危机问题的核心关键技术。然而,对整个光电催化分解水系统来说,其面临的最大的挑战就是寻找高效、化学性质稳定、地球储量丰富、禁带宽度适中的半导体材料。该领域研究人员不断尝试和探索新的方法来设计高效稳定的光电化学系统。金属硫化物半导体由于其较高的光吸收效率和合适的禁带宽度在整个光电催化领域有着广阔的应用前景。其中CuSbS2和Cu2ZnSnS4半导体由于其合适的禁带宽度、较高的光吸收因子、低毒、廉价以及地球储量丰富等优点成为整个光电催化领域倍受瞩目的光吸收材料。尽管它们做为光阴极制氢已有报道,但是该材料做为光阳极目前报道非常稀少。另外,如何制备出一种完美接触的p-n异质结是进一步提升电极性能的关键所在。在本论文中,我们重点研究了CuSbS2和Cu2ZnSnS4光电极的制备、表征及可见光照射下光解水产氢的性能。本论文的主要研究工作如下:(1)以氧化锌纳米线阵列为底层模板,然后采用非水溶液电沉积法在其表面沉积上一... 

【文章来源】:华南理工大学广东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:85 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

CuSbS 2 和Cu 2 ZnSnS 4 p-n结纳米线光阳极的制备、表征及其光电性能研究


由TiO2电极和铂黑电极组成的电化学电池系统

CuSbS 2 和Cu 2 ZnSnS 4 p-n结纳米线光阳极的制备、表征及其光电性能研究


半导体光催化反应机理图

半导体光催化剂,迁移过程,光照条件,载流子


图1-2 半导体光催化反应机理图Figure 1-2 Mechanism diagram of photocatalytic reaction using semiconductor图1-3 光照条件下半导体光催化剂载流子的迁移过程Figure 1-3 Separation and transportation of photo-induced carriers under illumination光生电子和空穴一旦在半导体内部产生,就会靠着内建电场或者扩散作用向半导体表面迁移,然而并不是每一次的分离和迁移都是有效的,一般来说,光生电子和空穴的

【参考文献】:
期刊论文
[1]可见光响应光解水制氢的半导体光催化剂[J]. 田蒙奎,上官文峰,王世杰,欧阳自远.  化学进展. 2007(05)

硕士论文
[1]半导体纳米棒阵列的制备及其光电性能的测试[D]. 欧阳威信.华南理工大学 2015
[2]稀土掺杂二氧化钛气相光催化降解有机污染物的研究[D]. 黄雅丽.福州大学 2004



本文编号:3315063

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