ZnSnN 2 的制备及电学性能的研究

发布时间：2021-08-24 19:48

　　ZnSnN₂是一种新型直接带隙的三元化合物半导体材料。它的成本低廉,储量丰富;禁带宽度在1.4².0eV之间,且无毒性,长期稳定。这些特性和优势使得ZnSnN₂在光催化、光伏、光发射等方面有着广泛的应用前景。然而,ZnSnN₂目前存在着迁移率低,载流子浓度过高的特点,导致它难以得到实际应用。如何提高ZnSnN₂的迁移率,降低载流子浓度,就成为了人们研究的重点。本论文的主要内容是制备ZnSnN₂薄膜并调节迁移率,研究其内部的散射机制和导电机制对于载流子浓度和迁移率的影响。本文通过反应磁控溅射方法制备ZnSnN₂薄膜,通过不同的磁控溅射工艺来进行制备。研究了溅射气压、基底温度、氮氩比例对ZnSnN₂薄膜的微观结构、电子浓度和迁移率的影响。通过溅射气压的改变调节了ZnSnN₂薄膜的迁移率和载流子浓度,并分析了不同溅射气压下样品的载流子浓度随温度的变化趋势、迁移率随温度的变化趋势。具体工作分以下几个... 

【文章来源】：深圳大学广东省

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

太阳光辐射强度与光的波长关系

太阳电池输出伏安特性曲线

(a)直接跃迁；(b)间接跃迁

【参考文献】：
期刊论文
[1]反应磁控溅射技术的发展情况及趋势[J]. 王治安,刘晓波,刘维,王军生,韩大凯,戴彬,童洪辉.  真空科学与技术学报. 2013(12)

硕士论文
[1]磁控溅射制备氧化亚铜及摻杂锌铟的光电性能研究[D]. 王欢.深圳大学 2015



本文编号：3360610