硅粉原位氮化结合氮化硅粉制备氮化硅陶瓷及基板

发布时间：2021-09-15 22:37

　　氮化硅（Si₃N₄）陶瓷因具有优异的力学性能,良好的热导率和耐热冲击性,逐渐成为宽禁带大功率半导体器件首选的基板材料。由于高纯Si₃N₄粉体成本较高,为降低成本,硅（Si）粉流延制备Si₃N₄陶瓷基板的方法成为近年研究的热点。然而,Si粉在氮化过程中出现的“熔硅”现象将导致大尺寸薄片基板的变形与开裂,从而降低Si₃N₄基板的性能与良品率。因此,结合Si粉与Si₃N₄粉（作为氮化稀释剂）,利用Si粉原位氮化,有望成为从成本和性能上改善现有Si₃N₄基板制备方法的有效途径。基于此,本文研究原料粉中Si:Si₃N₄的配比及烧结助剂的含量对Si₃N₄陶瓷及基板的致密度、显微结构和力学性能的影响规律,以获得高性能Si₃N

【文章来源】：广东工业大学广东省

【文章页数】：78 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

a)、b)Si3N4基本结构单元[1]

α-Si3N4和β-Si3N4晶体结构

反应烧结机理和显微结构的变化


本文编号：3396943