微波板式PECVD设备多晶硅片表面镀膜均匀性影响因素的研究

发布时间：2021-11-02 07:19

　　由于多晶硅片表面在不同晶粒之间的晶格取向、绒面特性,反射率等方面都存在较大差别,因此在多晶硅片表面制备的SiNx膜的均匀性较差。研究微波板式PECVD设备相关配件对其在多晶硅片表面镀膜时膜层均匀性的影响。结果显示,石英管、耐高温胶带厂家的差异,气路的气孔个数差异,加热板、导波器的完好程度差异均会对微波板式PECVD设备在多晶硅片表面镀膜时的均匀性产生较大影响。 

【文章来源】：太阳能. 2020,(12)

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

椭偏仪的工作原理示意图

将每个批次的800片硅片均分放置在石墨框内沉积镀膜，每个石墨框内一次可给50片硅片镀膜，4个石墨框(编号为K1～K4)循环使用4次(相当于将800片硅片均分在16个石墨框内)为完成1个批次的镀膜过程。收集每个石墨框内如图2所示区域的硅片，测试序号1～10位置的硅片的折射率，并将序号1～5位置的硅片的折射率求折射率方差，再将序号6～10位置的硅片的折射率求折射率方差，然后求这2个折射率方差的平均值，用于表征镀膜的均匀性。按照上述方法，以每个批次的16个石墨框中对应序号位置的硅片的折射率求得的折射率方差平均值表征批次间的镀膜均匀性；而以每个批次内4个石墨框循环使用4次时相同编号石墨框的硅片所测得的折射率方差平均值表征批次内的均匀性；实验期间不断对设备进行重复性验证。

由于实验中石英管和耐高温胶带分别采用的是2个不同厂家的产品，因此针对厂家差异对4个批次的镀膜均匀性的影响进行分析。厂家不同时4个批次的批次间和批次内的折射率方差平均值情况如图3、图4所示。对比图3和图4可以发现，批次a～批次d这4个批次的批次间和批次内的折射率方差平均值的变化趋势相同，这表明这4个批次的批次间和批次内的镀膜均匀性呈现出相同的规律。

【参考文献】：
硕士论文
[1]SiOxNy光学薄膜折射率渐变特性研究[D]. 李松晓.西安工业大学 2018



本文编号：3471586