光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响

发布时间：2021-11-22 07:06

　　采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF（40%）:C₂H₅OH（99%）:H₂O=1:7:1（体积比）和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。 

【文章来源】：广州化工. 2020,48(08)

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【部分图文】：

卤素灯的波长范围

实验采用了<100>晶向,厚度为500 μm、双面抛光,电阻率为1～10 Ω·cm的N型硅片,用于刻蚀的电解液的配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O,实验均在常温下进行。图2 实验装置图

图1 实验流程图图1为多孔硅阵列制备的工艺流程图,图2为典型的光电化学腐蚀实验装置示意图。电解槽由聚四氟乙烯制成,硅片由一个铜环夹在电解槽的侧面,它提供硅片和电源之间的电接触。对电极为铂电极,参比电极为甘汞电极。光源放置在距离硅片背面约5 cm处照射样品,提供光生空穴。实验参数如表1所示。

【参考文献】：
期刊论文
[1]多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究[J]. 罗文,胡文波,郑宇,宋忠孝,吴汇炎.  真空科学与技术学报. 2012(01)



本文编号：3511183