高性能99Al 2 O 3 陶瓷材料制备及性能研究
发布时间：2021-11-23 08:41
21世纪以后全球电子信息产业进入了高速发展时期,各种新型电子器件和芯片层出不穷,同时这也对封装材料性能提出了更高的要求。氧化铝陶瓷作为主要的封装材料成为了研究的热点。本文通过对氧化铝原料的选用,配方的掺杂改性、优化,烧结工艺的探索来研究和制备了满足实际封装需求的氧化铝陶瓷材料。实验和研究表明:首先选用9种不同粒度的Al2O3粉料制备陶瓷并对其进行测试,测试结果表明Al2O3粉料粒度会对Al2O3陶瓷性能产生影响。粒度较小、比表面积较大的Al2O3粉体表面能大,能够显著降低Al2O3陶瓷烧结温度有利于烧结成瓷。分别采用一元（MgO）、二元（MgO+La2O3）、三元（MgO+La2O3+Y2O3）烧结助剂对Al2O
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：68 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
CaTiO3晶体结构
= √2 ( ) ((1-4)中，t 的取值范围为 0.77～1.10。t=0.77～1.10 时，ABO3化合物结构型。当 t 的值不在该范围时则会转变为其他晶体结构。当 t＜0.77 时，为结构。当 t＞1.10时，以方解石或者文石型结构存在。除了离子半径比可外正离子电价也可以变化。在半径比合适的情况下，正、负离子电价满的原则，A、B 位的正离子电价代数和平均为+6价即可。) 尖晶石型结构晶石型结构化合物通式表示为 AB2O4，等轴晶系。多种电子陶瓷都属于。图 1-2 是以 MgAl2O4为例的尖晶石结构图。其中，O2-按立方紧密堆积 位一般是二价正离子，填充于八分之一的四面体空隙中；B 位一般是三，填充于二分之一的八面体间隙中。若 A 位是二价正离子，填充于八分面体间隙中；B 位是三价正离子，填充于二分之一的八面体间隙中，则石。若二价正离子分布在八面体间隙中，三价离子平均分布在四面体和，则为反尖晶石。MgAl2O4、MgCr2O4等为正尖晶石结构，Fe(TiFe)OFe)O4等属于反尖晶石结构。
图 1-3 金红石晶体结构构缺陷，由于工艺条件变化或者进行了改性，晶体结构，即存在晶体缺陷。晶体缺陷虽却起着很关键的作用，而晶体的完整性处为点、线、面三类缺陷。发生点缺陷的地一般指的是线缺陷，主要表现为位错。面关注较多的缺陷，按照偏离理想晶格位置和杂质原子。剂晶格中基质原子，形成置换固溶体；间隙固溶体。溶质能够在溶剂中混合并且溶现象是很常见的，通过形成固溶体，陶
【参考文献】：
期刊论文
[1]MgO烧结助剂对氧化铝多孔陶瓷结构和性能的影响[J]. 孙阳,徐鲲濠,孙加林,黄勇,薛伟江. 硅酸盐学报. 2015(09)
[2]烧结助剂Y2O3和Pr6O11对Al2O3陶瓷相对密度和热导率的影响[J]. 刘兵,彭超群,王日初,王小锋,李婷婷,王志勇. 中国有色金属学报. 2012(08)
[3]改进的水热法在无机非金属材料制备中的应用[J]. 吴健松,肖应凯,梁海群. 化学通报. 2012(04)
[4]MgF2对低温烧结75氧化铝陶瓷性能的影响[J]. 董伟霞,包启富,顾幸勇. 中国陶瓷. 2010(10)
[5]CuO-TiO2复合助剂低温烧结氧化铝陶瓷的机理（Ⅱ）[J]. 王焕平,张斌,马红萍,徐时清,李登豪,周广淼. 材料研究学报. 2010(01)
[6]MgO-MnO2-TiO2-SiO2烧结助剂中SiO2的量对低温烧结氧化铝陶瓷材料性能的影响[J]. 顾皓,吕珺,黄丽芳,郑治祥. 硅酸盐通报. 2009(03)
[7]ZnO-CaO-MgO-SiO2助烧剂对氧化铝陶瓷性能的影响[J]. 董伟霞,包启富,顾幸勇. 陶瓷学报. 2009(02)
[8]Y2O3改性Al2O3陶瓷微波介电损耗研究[J]. 娄本浊. 山东陶瓷. 2008(04)
[9]水系流延技术制备95氧化铝陶瓷基片的研究[J]. 罗凌虹,江伟辉,顾幸勇,程亮,杨鲁生. 人工晶体学报. 2007(06)
[10]掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响[J]. 司文捷,刘人淼. 稀有金属材料与工程. 2007(S1)
博士论文
[1]氟化物晶体Re:BaY2F8的生长及其光谱性质研究[D]. 张守超.天津大学 2009
[2]平面冲击加载下A95陶瓷动态力学性能研究[D]. 唐录成.重庆大学 2009
硕士论文
[1]α-Al2O3纳米颗粒的低温制备与其烧结特性的研究[D]. 郭瑞雲.兰州大学 2016
[2]LTCC中玻璃/陶瓷复合基板材料的热性能研究[D]. 龚雪薇.西安电子科技大学 2013
[3]晶体生长的动力学模拟[D]. 鲍泽耀.大连理工大学 2008
[4]CBS/Al2O3玻璃陶瓷的制备及其性能研究[D]. 唐利锋.天津大学 2008
本文编号：3513523
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：68 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
CaTiO3晶体结构
= √2 ( ) ((1-4)中，t 的取值范围为 0.77～1.10。t=0.77～1.10 时，ABO3化合物结构型。当 t 的值不在该范围时则会转变为其他晶体结构。当 t＜0.77 时，为结构。当 t＞1.10时，以方解石或者文石型结构存在。除了离子半径比可外正离子电价也可以变化。在半径比合适的情况下，正、负离子电价满的原则，A、B 位的正离子电价代数和平均为+6价即可。) 尖晶石型结构晶石型结构化合物通式表示为 AB2O4，等轴晶系。多种电子陶瓷都属于。图 1-2 是以 MgAl2O4为例的尖晶石结构图。其中，O2-按立方紧密堆积 位一般是二价正离子，填充于八分之一的四面体空隙中；B 位一般是三，填充于二分之一的八面体间隙中。若 A 位是二价正离子，填充于八分面体间隙中；B 位是三价正离子，填充于二分之一的八面体间隙中，则石。若二价正离子分布在八面体间隙中，三价离子平均分布在四面体和，则为反尖晶石。MgAl2O4、MgCr2O4等为正尖晶石结构，Fe(TiFe)OFe)O4等属于反尖晶石结构。
图 1-3 金红石晶体结构构缺陷，由于工艺条件变化或者进行了改性，晶体结构，即存在晶体缺陷。晶体缺陷虽却起着很关键的作用，而晶体的完整性处为点、线、面三类缺陷。发生点缺陷的地一般指的是线缺陷，主要表现为位错。面关注较多的缺陷，按照偏离理想晶格位置和杂质原子。剂晶格中基质原子，形成置换固溶体；间隙固溶体。溶质能够在溶剂中混合并且溶现象是很常见的，通过形成固溶体，陶
【参考文献】：
期刊论文
[1]MgO烧结助剂对氧化铝多孔陶瓷结构和性能的影响[J]. 孙阳,徐鲲濠,孙加林,黄勇,薛伟江. 硅酸盐学报. 2015(09)
[2]烧结助剂Y2O3和Pr6O11对Al2O3陶瓷相对密度和热导率的影响[J]. 刘兵,彭超群,王日初,王小锋,李婷婷,王志勇. 中国有色金属学报. 2012(08)
[3]改进的水热法在无机非金属材料制备中的应用[J]. 吴健松,肖应凯,梁海群. 化学通报. 2012(04)
[4]MgF2对低温烧结75氧化铝陶瓷性能的影响[J]. 董伟霞,包启富,顾幸勇. 中国陶瓷. 2010(10)
[5]CuO-TiO2复合助剂低温烧结氧化铝陶瓷的机理（Ⅱ）[J]. 王焕平,张斌,马红萍,徐时清,李登豪,周广淼. 材料研究学报. 2010(01)
[6]MgO-MnO2-TiO2-SiO2烧结助剂中SiO2的量对低温烧结氧化铝陶瓷材料性能的影响[J]. 顾皓,吕珺,黄丽芳,郑治祥. 硅酸盐通报. 2009(03)
[7]ZnO-CaO-MgO-SiO2助烧剂对氧化铝陶瓷性能的影响[J]. 董伟霞,包启富,顾幸勇. 陶瓷学报. 2009(02)
[8]Y2O3改性Al2O3陶瓷微波介电损耗研究[J]. 娄本浊. 山东陶瓷. 2008(04)
[9]水系流延技术制备95氧化铝陶瓷基片的研究[J]. 罗凌虹,江伟辉,顾幸勇,程亮,杨鲁生. 人工晶体学报. 2007(06)
[10]掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响[J]. 司文捷,刘人淼. 稀有金属材料与工程. 2007(S1)
博士论文
[1]氟化物晶体Re:BaY2F8的生长及其光谱性质研究[D]. 张守超.天津大学 2009
[2]平面冲击加载下A95陶瓷动态力学性能研究[D]. 唐录成.重庆大学 2009
硕士论文
[1]α-Al2O3纳米颗粒的低温制备与其烧结特性的研究[D]. 郭瑞雲.兰州大学 2016
[2]LTCC中玻璃/陶瓷复合基板材料的热性能研究[D]. 龚雪薇.西安电子科技大学 2013
[3]晶体生长的动力学模拟[D]. 鲍泽耀.大连理工大学 2008
[4]CBS/Al2O3玻璃陶瓷的制备及其性能研究[D]. 唐利锋.天津大学 2008
本文编号：3513523
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