B 2 O 3 -P 2 O 5 -SiO 2 基微波介质陶瓷的制备与性能研究
发布时间：2021-12-29 21:43
氧化硅基微波介质陶瓷介电性能优良,但因其烧结温度高及烧结过程中的相转变难以控制引起陶瓷内部微裂纹等缺点限制了氧化硅基陶瓷的使用。B2O3-P2O5-SiO2（BPS）基微波介质陶瓷以氧化硅为原料,B2O3-P2O5助烧并以BPO4晶相形式析出增强陶瓷基体,具有低烧结温度,较低的介电常数（er）,和低介电损耗等优点因此作为微波介质基板材料有广阔的应用前景。以SiO2,H3BO3,NH4H2PO4为原料采用固相烧结法制备BPS基微波介质陶瓷,通过DSC-TG曲线系统的研究了预烧温度、升温速率、保温时间对预烧坯体的影响,制定了合适的预烧工艺。并研究了不同SiO2原料以及BPS原料成分比例及烧结温度对BP...
【文章来源】：南京航空航天大学江苏省 211工程院校
【文章页数】：89 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
微波频段的划分及其应用微波技术的发展同时也依赖于电子电路中介质材料的发展，人们将在微波频段下工作的电
质内部的自由电荷正负电荷互相抵消，宏观上不显电衡位置局部偏移，沿电场方向产生偶极矩，使得介质极化的介质会在材料表面和材料内部不均匀处出现极的能力也不相同，介电常数 r即宏观上反映介质材料极化率的物理量，介质极化能力越强，极化率越大，数越大，反之介电常数越小。形式多种多样，大致上分为：电子位移极化、离子位[25-26]。但因材料微观结构，外界温度，外电场频率的，在微波频段下，极化形式主要为电子位移极化和离间完成的，极化机制不同响应时间也不同。电子位移外电场下的相对位移，建立时间短约为 10-12~10-13s，于偶极子克服势垒定向移动和正负间隙离子的定向移，在高频下极化无法响应。图 1.2 为介质的极化形式与
外电场作用下介质征电导损耗机理
【参考文献】：
期刊论文
[1]固相反应合成磷酸硼工艺研究[J]. 李海昆,曾波,杨学芬,任思宇. 无机盐工业. 2014(01)
[2]硼硅酸盐玻璃中减少B2O3挥发的工艺研究[J]. 刘小青,何峰,房玉,乔勇. 武汉理工大学学报. 2013(05)
[3]复合烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷的性能影响[J]. 李月明,金云海,沈宗洋,王竹梅,洪燕,汪启轩. 人工晶体学报. 2012(05)
[4]α-石英方石英转变的研究[J]. 吴新正,邓湘,李建保,陈润六,朱素娟. 材料工程. 2009(S2)
[5]CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃LTCC基板的烧结性能研究[J]. 干林杰,张树人,周晓华,胡鉴耿,王中俭. 材料导报. 2008(S3)
[6]水热法制备Ba6-3xNd8+2xTi18O54微波介质陶瓷[J]. 王辉,徐建梅,苏言杰,龚文强. 硅酸盐学报. 2007(02)
[7]烧结助剂对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响[J]. 张启龙,杨辉,魏文霖,邹佳丽,尤源. 电子元件与材料. 2004(02)
[8]B2O3-P2O5-SiO2系陶瓷的相组成和介电性能[J]. 吴坚强,宁武成,胡伯文,王群. 中国陶瓷. 2003(03)
[9]低温烧结微波介质陶瓷[J]. 赵梅瑜,王依琳. 电子元件与材料. 2002(02)
[10]固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料[J]. 李勃,岳振星,周济,桂治轮,李龙土. 无机材料学报. 2001(05)
博士论文
[1]超低损耗AB（Nb,Ta）2O8型微波介质陶瓷结构与性能的研究[D]. 廖擎玮.天津大学 2012
[2]ZnAl2O4基低介电常数微波介质陶瓷的结构与性能[D]. 雷文.华中科技大学 2008
硕士论文
[1]LiMgPO4基低介电常数微波介质陶瓷的制备及性能研究[D]. 程鹏.南京航空航天大学 2014
[2]Al2O3-TiO2系低介微波介质陶瓷的研究[D]. 叶珣.华中科技大学 2007
[3]BaO-TiO2体系微波介质陶瓷粉体制备及表征[D]. 王伟.浙江大学 2006
[4]SiO2基多孔陶瓷的制备及其性能表征的研究[D]. 资文华.昆明理工大学 2004
本文编号：3556911
【文章来源】：南京航空航天大学江苏省 211工程院校
【文章页数】：89 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
微波频段的划分及其应用微波技术的发展同时也依赖于电子电路中介质材料的发展，人们将在微波频段下工作的电
质内部的自由电荷正负电荷互相抵消，宏观上不显电衡位置局部偏移，沿电场方向产生偶极矩，使得介质极化的介质会在材料表面和材料内部不均匀处出现极的能力也不相同，介电常数 r即宏观上反映介质材料极化率的物理量，介质极化能力越强，极化率越大，数越大，反之介电常数越小。形式多种多样，大致上分为：电子位移极化、离子位[25-26]。但因材料微观结构，外界温度，外电场频率的，在微波频段下，极化形式主要为电子位移极化和离间完成的，极化机制不同响应时间也不同。电子位移外电场下的相对位移，建立时间短约为 10-12~10-13s，于偶极子克服势垒定向移动和正负间隙离子的定向移，在高频下极化无法响应。图 1.2 为介质的极化形式与
外电场作用下介质征电导损耗机理
【参考文献】：
期刊论文
[1]固相反应合成磷酸硼工艺研究[J]. 李海昆,曾波,杨学芬,任思宇. 无机盐工业. 2014(01)
[2]硼硅酸盐玻璃中减少B2O3挥发的工艺研究[J]. 刘小青,何峰,房玉,乔勇. 武汉理工大学学报. 2013(05)
[3]复合烧结助剂对CSLST微波介质陶瓷的性能影响[J]. 李月明,金云海,沈宗洋,王竹梅,洪燕,汪启轩. 人工晶体学报. 2012(05)
[4]α-石英方石英转变的研究[J]. 吴新正,邓湘,李建保,陈润六,朱素娟. 材料工程. 2009(S2)
[5]CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃LTCC基板的烧结性能研究[J]. 干林杰,张树人,周晓华,胡鉴耿,王中俭. 材料导报. 2008(S3)
[6]水热法制备Ba6-3xNd8+2xTi18O54微波介质陶瓷[J]. 王辉,徐建梅,苏言杰,龚文强. 硅酸盐学报. 2007(02)
[7]烧结助剂对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响[J]. 张启龙,杨辉,魏文霖,邹佳丽,尤源. 电子元件与材料. 2004(02)
[8]B2O3-P2O5-SiO2系陶瓷的相组成和介电性能[J]. 吴坚强,宁武成,胡伯文,王群. 中国陶瓷. 2003(03)
[9]低温烧结微波介质陶瓷[J]. 赵梅瑜,王依琳. 电子元件与材料. 2002(02)
[10]固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料[J]. 李勃,岳振星,周济,桂治轮,李龙土. 无机材料学报. 2001(05)
博士论文
[1]超低损耗AB（Nb,Ta）2O8型微波介质陶瓷结构与性能的研究[D]. 廖擎玮.天津大学 2012
[2]ZnAl2O4基低介电常数微波介质陶瓷的结构与性能[D]. 雷文.华中科技大学 2008
硕士论文
[1]LiMgPO4基低介电常数微波介质陶瓷的制备及性能研究[D]. 程鹏.南京航空航天大学 2014
[2]Al2O3-TiO2系低介微波介质陶瓷的研究[D]. 叶珣.华中科技大学 2007
[3]BaO-TiO2体系微波介质陶瓷粉体制备及表征[D]. 王伟.浙江大学 2006
[4]SiO2基多孔陶瓷的制备及其性能表征的研究[D]. 资文华.昆明理工大学 2004
本文编号：3556911
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