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10 B富集的二硼化锆靶材制备

发布时间:2022-01-14 23:24
  二硼化锆(ZrB2)作为重要的超高温陶瓷材料,被广泛应用于航空航天、电极材料和耐火材料等领域,其中AP1000反应堆用一体化ZrB2可燃毒物是其应用的最新进展。有关ZrB2粉体制备和ZrB2陶瓷致密化一直是研究热点。本文针对AP1000反应堆用一体化ZrB2可燃毒物涂层对10B富集的ZrB2靶材的需求,进行10B富集的ZrB2粉体及靶材制备研究。制备ZrB2粉体的方法有很多,包括碳热还原、硼热还原、高温自蔓延合成、溶胶-凝胶法等。碳热还原法原料来源简单,且易于产业化,对于合成10B富集的ZrB2粉体来说具有显著的成本优势。然而,碳热还原法合成的ZrB2粉,由于颗粒尺寸较大且易呈条棒状,加之ZrB2自身特性,难以在不存在烧结助剂的情况下实现高度致密化。因此,控制碳热还原反应过程中ZrB2粉体粒子的生长和形貌,进而在不添加烧结助剂的条件下实现靶材的深度致密化是一个重要课题。本文从原料分析与处理出发,采用碳热还原法合成ZrB2粉体,通过添加剂实现碳热还原反应过程中ZrB2粉体粒子的生长和形貌控制。利用高速混合机提高ZrB2粉体中10B丰度的均匀性。利用制备的粉体为原料,结合ZrB2粉体原料粒... 

【文章来源】:北京科技大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:129 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

 10 B富集的二硼化锆靶材制备


图1-1?ZrB^"!格投影示意图??由图可知,硼离子平面与锆离子平面交替出现,形成二维网状结构,硼??

二维网状结构,锆离子,硼离子,平面


多余的电子形成离域71键。具有强键性的Zr-B离子键和B-B共价键,决??定了?ZrB2M料具有高熔点、高硬度、高稳定性及良好的耐腐蚀性等特点W。??Zr-B二元系相图如图1-2[3]所示。??Weight?Percent?Zirconium??0?ao?6〇?eo?to?m??〇?ioo??3?0Q?卜“上H ̄^一';?r**—-t—'一 ̄????3245?Y??^?2SD0-?/?j?2祕????Z?20?轮?*c/?;?\??3?/?、舰o*c?!?\??I?1?\?,??〇?獅:??JiOO?2iB???I?^?,?ZsBt?v,/?ZtS^^f???*??-|-(B)?^1?(0Zr)-M??1000-?;?j-??u\????????e?30c??ZsBt*^^2t?(oZr)?*'??'??^°°?0?30?20?30?40?50?ri?100??B?Atomic?Percent?Zirconium?Zr??图1-2?Zr_B二元系相图??

示意图,芯块,结构示意图,碳热还原法


电极等领域[39,M。近年来,1()B富集的ZrB2更以其良好的中子吸收性(热中??子吸收截面为3837?b,而nB仅为0.005?b)和抗辐照性,应用于AP1000反??应堆一体化可燃毒物(IFBA)中[4M5】,如图1-3所示是IFBA燃料芯块结构??示意图。??硼化锆涂层??--燃料芯块??图1-3?IFBA燃料芯块结构示意图??采用直流磁控溅射,通过溅射iaB富集的ZrB2靶材可在核燃料U02芯块??的圆柱表面均匀溉射沉积一层1GB富集的ZrB2薄膜%47]。其工作原理如式??(1-1)所示。??10B+n—7Li+4He?式(1-1)??IQB吸收中子后直接转化为本质上对中子透明的氦-7和锂-4,不会因为吸??收中子而产生新的或额外的中子或变为新的毒物,从而调节反应堆的反应性??[24]。1(^富集的ZrB2靶材是ZrB2应用领域的最新进展之一[481。目前有关igB??富集的ZrB2靶材及其原料粉体的制备很少有文献报道。??ZrB2粉体的制备方法有很多,如直接合成法、高温自蔓延合成、溶胶-凝??胶法、碳热还原法等,其中,由于碳热还原法可以利用Zr02、H3B03和C粉??为原料,原料简单易得。对于1GB富集的ZrB2粉体制备来说,由于含1GB的??原料非常昂贵,因此碳热还原法是最有可能实现产业化的低成本方法。但常??规碳热还原法由于反应体系存在多个副反应

【参考文献】:
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本文编号:3589422

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