退火温度对CdSe纳米薄膜的形成及光电性能影响
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【摘要】:在室温下,采用循环伏安法在ITO上沉积CdSe纳米薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见(UV-VIS)分光光度计以及电化学工作站对不同温度退火后的CdSe纳米薄膜的晶体结构、形貌、光学性能、光电化学性能进行表征和测试。结果表明,退火温度对CdSe纳米薄膜的形貌和性能起到关键性作用。薄膜表面平整、厚度均匀,且由呈纳米颗粒状的立方相CdSe构成;经退火后,CdSe纳米颗粒出现不同程度的长大现象,Se含量随退火温度的升高而减少。紫外-可见吸收光谱表明随着退火温度的升高,CdSe纳米薄膜对可见光的吸收发生红移,表明禁带宽度逐渐减小,表现出量子尺寸效应。通过光电流测试表明随着退火温度的升高,CdSe薄膜的光电响应效应显著提高。
【作者单位】: 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;太原理工大学材料科学与工程学院;太原理工大学新材料工程技术研究中心;
【关键词】: 电化学沉积 CdSe纳米薄膜 退火温度 光电响应效应
【基金】:国家自然科学基金(No.51402209) 山西省基础研究项目(No.2015021075) 浙江省固态光电器件重点实验室基金(No.2013E100221502) 校青年基金(No.2013Z033)资助项目
【分类号】:TQ132.44;TB383.2
【正文快照】: 0引言Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体材料,因其独特的光电特性及其在光学、电学和生物学等领域的应用前景而引起广泛关注[1-3]。其中Cd Se是直接禁带半导体,且其具有与太阳光光谱中可见光波段相适应的带宽(1.73 e V)而被用于制作发光二极管(LED)[4]、场效应晶体管(FET)[5]、太阳能电池[6]
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本文编号:465634
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