应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟（英文）

发布时间：2017-06-27 03:09

  本文关键词：应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟（英文），由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：采用分子动力学方法对Si C单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究。模拟了室温下不同应变速率对立方Si C单晶[001]方向的拉伸行为的影响。当应变速率在0.01~10 ps~( 1)时,拉伸强度随应变速率的提高而增加。拉伸过程中Si C晶体发生非晶转变导致强度提高。当应变率低于0.01 ps~( 1)时,晶体在(111)面上发生破坏,强度趋于71.4 GPa。应变率大于10 ps~( 1)时,晶体强度达到243 GPa,并未发生非晶转变。
【作者单位】： 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所;
【关键词】： 碳化硅 应变率 拉伸行为 分子动力学
【基金】：国家自然科学基金委创新群体项目(11121061、11474136)
【分类号】：TQ163.4
【正文快照】： QIN Liyuan,MENG Songhe,LI Jinping,TIAN Shuang(Center for Composite Materials and Structure,Harbin Institute of Technology,Harbin 150080,China)1 IntroductionSilicon carbide(Si C)is a high-temperature ceramicmaterial for the use of electronic or optoelectr

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本文编号：488386