电路基板用AlN-TiN-BN复相导电陶瓷的制备及性能研究

发布时间：2017-06-28 02:20

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【摘要】：以微米TiN、AlN以及BN为主要原料,以微米B_4C、纳米Si粉以及微米Y_2O_3为添加剂,在N_2气氛保护下热压烧结制备了AlN-TiN-BN复相导电陶瓷。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值以及导电性能。结果表明,最佳的导电陶瓷配比中微米Ti N添加量(wt%)为40%,微米Al N添加量为30%,微米BN为15%。当烧结温度为1800℃时,样品性能最佳,其相对密度为95.7%,弯曲强度为415.3 MPa,断裂韧性为5.54 MPa·m~(1/2),维氏硬度为HRA 83.1,电阻率值为781.5μΩ·cm。
【作者单位】： 贵州建设职业技术学院;山东理工大学;
【关键词】： 电路基板 热压烧结 力学性能 导电性能 导电通道
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】： 0引言随着经济的发展,电子产品如今已经应用于各行各业。目前,我国将智能化制造列入了国家“十三五”规划文件中,智能制造的核心是集成电路产品,它包含了成千上万个电子部件[1-3]。在实际应用中,要让各个电子元器件不相互干扰,必须在集成电路板上使上使用高性能的材料[3-7]。

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本文编号：492190