新型整平剂TS-L对铜电沉积的影响

发布时间：2017-07-03 02:09

  本文关键词：新型整平剂TS-L对铜电沉积的影响

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【摘要】：通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响。基础镀液组成为:Cu SO_4·5H_2O 75 g/L,H_2SO_4 240 g/L,Cl~-60 mg/L。结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层。随TS-L用量增大,其抑制作用增强。TS-L的用量为50 mg/L时,铜的电沉积由基础镀液的三维瞬时成核转变为三维连续成核。随TS-L质量浓度的增大,镀液的深镀能力提高。在电镀液中添加50 mg/L整平剂TS-L、10 mg/L光亮剂TS-S和600 mg/L抑制剂TS-W时,深镀能力为87%,铜镀层的延展性和可靠性满足印制线路板行业的应用要求。
【作者单位】： 广东东硕科技有限公司;
【关键词】： 电镀铜 整平剂 深镀能力 极化 电结晶 延展性 可靠性
【分类号】：TQ153.14
【正文快照】： 随着电子信息行业的高速发展,提升高厚径比PCB(印制线路板)产品的深镀能力变得尤为重要。深镀能力的提高不仅可以提升产品性能,而且能节约成本。开发高性能的添加剂是提高深镀能力最快捷有效的方式之一。PCB通孔电镀添加剂一般分为光亮剂、整平剂和抑制剂。光亮剂多为带有磺酸

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本文编号：512017