Ar环境下氢化非晶锗硅的制备与特性研究

发布时间：2017-07-19 10:34

  本文关键词：Ar环境下氢化非晶锗硅的制备与特性研究

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【摘要】：采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H。将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley高阻仪进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、结构因子、光学带隙及光暗电导率的影响。实验表明:薄膜沉积速率随掺杂量的增大而增大;薄膜结构因子随掺杂量的增大而减小;薄膜对可见光的吸收随掺杂量的增大出现红移,光学带隙减小;掺杂比例较低时,薄膜光暗电导率变化不明显,当GeH4量达20cm3/min时,薄膜暗电导明显增大,光暗电导比减小。
【作者单位】： 电子科技大学光电信息学院;
【关键词】： 氢化非晶硅 锗掺杂 PECVD 氩环境
【基金】：国家自然科学基金项目(51372032)
【分类号】：TQ127.2
【正文快照】： 0引言氢化非晶硅(a-Si∶H)作为光敏材料,具有较高的光吸收系数、较强的明暗电导比、光学带隙可调控以及制备工艺简单等优点。a-Si∶H的光电特性使其在红外传感器、光调制器以及薄膜太阳电池等领域得到了广泛应用[1-2]。为了改善a-Si∶H的性能,使其能更好地应用于各种特定的场，

本文编号：562482