电子辐照对SiC陶瓷微观结构与辐致发光性能的影响

发布时间：2017-07-30 10:26

  本文关键词：电子辐照对SiC陶瓷微观结构与辐致发光性能的影响

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【摘要】：以聚碳硅烷(PCS)为原料,通过聚合物裂解法分别在1 100和1 800℃制备出Si C陶瓷。用1.8 MeV电子源(辐照强度为5 360 Gy/s、总剂量约为20 MGy、辐照温度为200℃)对其进行辐照。对SiC陶瓷辐照前后的结构以及辐照后的辐致发光谱进行分析。结果表明:1 100和1 800℃得到的SiC陶瓷X射线衍射谱中最强峰强度分别下降了48.7%和50.5%,辐照区域晶粒变小,说明SiC陶瓷辐照后晶体结构发生了明显无定形化。1 800℃得到的Si C陶瓷辐照后局部区域出现了C元素富集。聚合物裂解法制备的Si C陶瓷中游离碳含量较高,导致其辐致发光强度低(0.1)。
【作者单位】： 海军工程大学舰船高温结构复合材料研究室;国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国家重点实验室;
【关键词】： 电子辐照 碳化硅陶瓷 微观结构 辐致发光
【基金】：国家自然科学基金面上项目(51372274) 武器装备预研基金(9140A27030514JB11449)资助
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】： ZHAO Shuang1,YANG Zichun1,ZHOU Xingui2(1.Institution of High-temperature Structural Composites for Ship,Naval University of Engineering,Wuhan 430033,China;2.Science and Technology on Advanced Ceramic Fibers and Composites Laboratory,National University o

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本文编号：593792