单晶碳化硅和蓝宝石基片化学机械抛光的表面反应层形成机制的研究进展

发布时间：2017-08-07 05:24

  本文关键词：单晶碳化硅和蓝宝石基片化学机械抛光的表面反应层形成机制的研究进展

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【摘要】：碳化硅和蓝宝石单晶是重要的空间光学材料,也是高亮度发光二极管用的主要衬底材料,实现它们的高质量化学机械抛光(CMP)加工,需要深入理解高化学稳定性衬底材料的超光滑加工过程的材料去除机制,其中一个具有挑战性的问题是力学-化学耦合作用下表面反应层的形成机制.本文评述了反应层形成机理的研究进展和存在的若干问题,包括表面反应层形成的热力学机理和动力学行为、CMP加工模型晶片体系的建立、表面反应层的结构和组成表征、研究结果可比性等,并提出了若干后续研究的突破点,如设计和建立表面结构可控的CMP加工模型晶片体系,并确定表面层形成的化学反应速率来解耦合化学反应过程和扩散过程.本文特别强调了多学科交叉研究方法的重要性,建议密切结合材料的表面结构及缺陷的控制和表征、表界面结构和组成分析、化学反应机理研究以及表面和胶体化学的表界面作用力测量研究.
【作者单位】： 哈尔滨工业大学化工与化学学院;哈尔滨工业大学机电学院航空宇航制造工程系;
【关键词】： 碳化硅 蓝宝石 化学机械抛光 表面反应层 表面表征
【基金】：国家重点基础研究发展计划(2011CB013200) 国家自然科学基金重点项目(51535003)资助
【分类号】：TQ164;TN304.24
【正文快照】： 碳化硅(Si C)单晶和蓝宝石(Sapphire,单晶?-Al2O3)是制作高亮度发光二极管(LED)发光芯片的主流量产衬底材料.作为典型的高化学稳定性的硬脆材料,实现其高质量超光滑化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)加工,需要深入理解力学-化学耦合作用下CMP加工过程的材料去

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本文编号：633060