沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响

发布时间：2017-08-08 15:14

  本文关键词：沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响

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【摘要】：采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统,以乙硅烷和氢气为气源,普通钠钙玻璃为衬底制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了沉积压力对非晶硅薄膜的沉积速率、光学带隙以及结构因子的影响。采用台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜等手段分别表征了a-Si∶H薄膜的沉积速率,光学带隙、结构因子和表面形貌。结果表明:随着沉积压力的增加,沉积速率呈现先上升后下降的趋势,光学带隙不断下降。当沉积压力小于210Pa时,以SiH键存在的H原子较多,而以SiH2或SiH3等形式存在的H较少;当沉积压力大于210Pa时,以SiH2,(SiH2)n或SiH3等形式存在的H较多。通过结构因子的计算,发现沉积压力在110~210Pa的范围内沉积的薄膜质量较好。
【作者单位】： 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室;四川文理学院物理与机电工程学院;Department
【关键词】： PECVD 沉积压力 沉积速率 光学带隙 结构因子
【基金】：国家自然科学基金项目(51362031,U1037604) 四川省教育厅科研项目(15ZB0317)资助
【分类号】：TQ127.2;TB383.2
【正文快照】： 3.Department of Physics and Astronomy,University of Toledo,Toledo OH 43606,USA引言Chittick等对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜展开研究,提出了一种非晶硅制备的新方法,即目前广泛采用的射频辉光放电技术和等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)[1]。Spear等利用硅烷(SiH4)的直

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1 殷海荣;刘盼;郭宏伟;董继先;吴阳;莫祖学;;Bi_2O_3-B_2O_3-RE_2O_3(RE=Ce,Tb)玻璃的光学带隙[J];陕西科技大学学报(自然科学版);2014年01期

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本文编号：640626