残余相和烧结温度对碳化硅陶瓷抗混酸腐蚀特性的影响（英文）

发布时间：2017-09-01 23:14

  本文关键词：残余相和烧结温度对碳化硅陶瓷抗混酸腐蚀特性的影响（英文）

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【摘要】：本工作主要研究了残余相和晶粒尺寸对碳化硅的抗混酸(HF-HNO_3)腐蚀特性。通过不同的烧结方法(固相烧结、液相烧结、反应烧结)制备出残余相不同的碳化硅材料。结果表明:与液相烧结碳化硅(LPS SiC)和反应烧结碳化硅(RB SiC)相比,固相烧结碳化硅(SSiC)具有更好的腐蚀抗性,这是由于残余相石墨的抗腐蚀性强,以及残余相在材料中形成不能相互联通的岛状结构。通过调节碳化硅的烧结温度,可以影响材料中的晶粒尺寸,研究结果发现相同烧结温度下随着残余相含量的增加,材料腐蚀失重线性增加,对曲线进行线性拟合,其Y轴截距的绝对值代表不含碳的试样在该烧结温度下的腐蚀失重。研究表明随着烧结温度由2100℃升高到2160℃,晶粒尺寸由2μm增加到6μm。此时其Y轴截距的绝对值分别为9.22(2100℃),5.81(2130℃),0.29(2160℃),表明晶粒尺寸的增加有利于提高材料的抗腐蚀能力。
【作者单位】： 上海大学材料科学与工程学院;中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室;
【关键词】： 碳化硅 抗腐蚀 残余相 晶粒尺寸
【基金】：National Natural Science Foundation of China(51202270) Strategic Pilot of Science and Technology of Chinese Academy of Sciences(Class A:XDA02040206)
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】：

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本文编号：774967