二维硫化钼基原子晶体材料的化学气相沉积法制备及其器件

发布时间：2017-09-02 00:30

  本文关键词：二维硫化钼基原子晶体材料的化学气相沉积法制备及其器件

  更多相关文章： 二硫化钼 化学气相沉积 光电器件 二维异质结

【摘要】：二维过渡族金属硫属化合物因其带隙具有强烈的层数依赖性而在电子器件方面具有广泛的应用前景。其中单层二硫化钼(MoS_2)是该系列材料中最典型的一种直接带隙半导体,它具有优异的光、电、磁、热和力学性能。二维MoS_2有望在光电探测、光伏器件、场效应晶体管、存储器件、谷电子和自旋器件、温差电器件、微纳机电器件和系统等方面得以广泛应用。化学气相沉积(CVD)法已成为制备二维过渡族金属硫属化合物如MoS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2等原子层薄膜的主要手段,尤其科学界利用CVD法对二维MoS_2材料进行了深入的制备探索,通过该方法制备的MoS_2薄膜在电子和光电器件方面已经有广泛研究。本文将从二维MoS_2的基本物性出发,详细介绍CVD法制备MoS_2的各种工艺过程,如热分解硫代硫酸盐法、硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜制备法、MoO_(3-x)粉体与硫属前驱体气相合成法和钼箔表面直接硫化法,并介绍了基于MoS_2的二维异质结构筑方法。在制备材料的基础上,详细阐述了二维MoS_2在场效应晶体管、光电探测器、柔性电子器件以及异质结器件方面的应用,并展望了二维材料在半导体器件中的应用前景。
【作者单位】： 南京航空航天大学航空宇航学院机械结构与控制国家重点实验室纳智能材料器件教育部重点实验室和纳米科学研究所;南京航空航天大学材料科学与技术学院;
【关键词】： 二硫化钼 化学气相沉积 光电器件 二维异质结
【基金】：国家自然科学基金项目(No.61474063,11302100) 南京航空航天大学基金(No.NJ20140002,NE2015102,NZ2015101) 江苏省自然科学基金项目(No.SBK2015022205) 机械结构力学与控制国家重点实验室基金项目(No.0413Y02,0415G02) 江苏省高校优势学科建设工程资助~~
【分类号】：TQ136.12
【正文快照】： The work was supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61474063,11302100),the Innovation Fund of NUAA(No.NJ20140002,NE2015102,NZ2015101),the National Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.SBK2015022205),SKL Funding ofNU

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本文编号：775338